微波集成电路技术及工艺的进展

七十年代以来,由于各种微波半导体器件迅速发展,而且微带电路逐步成熟,使得各类微波集成电路的研制,生产和应用,在国防建设,微波通信以及仪器等方面愈来愈显得重要。本文将就薄膜ＭＩＣ制作中涉及的无源器件中的薄膜基片、导电带及薄膜阻容元件的发展等方面作一简述。     

微光栅加速度计温度控制研究

微光栅加速度计凭借着极高灵敏度和分辨率等优势成为近几年的研究热点,但外界环境温度的变化会影响其输出精度。为优化其温度特性,提出了一种两级内外温控系统。通过介绍微光栅加速度计的基本原理,分析了由于半导体激光器和MEMS敏感芯片的温度特性对其造成的影响。针对加速度计设计了温控电路,对其搭载两级内外温控系统,使其工作温度保持恒定,最后对该系统进行了实验测试。实验结果表明：在该温控系统下,加速度计的工作温度控制精度可达±0.02℃。对于加速度计的噪声性能而言,在0.01～10 Hz频段,相较于未加温控系统的加速度计,整体信噪比提高了20 dB。     

现代国防科技的特征及其发展重点

现代,在新技术革命的推动下,国防科技得到飞速的发展。可以说,在技术大系统中,运用于国防或以军事为目的的技术发展最快、变化最大,尖端项目最多,对技术大系统影响最深刻。西方不少政治家把国防科技未来战争称为“科学家的战争”、“技术战争”、“第二次冷战”等等。有人预言,从现在起到下世纪中叶,国防科技还将会有新的发展,尤其在超大规模、超高速集成电路、“隐身”技术、先进材料、人工智能和机器人、定向能技术、航天技术等方面,将有重大发展。 现代国防科技的变化表现在方方面面。综观这些变化,我们不难发现其中有着一些…     

音乐芯片MC3168应用初步

本文以音乐芯片MC3168为中心,详细介绍了它的特点及使用方法,并给出了一般的操作步骤。     

飞秒激光烧蚀硅的瞬态演化特性仿真

为深入揭示飞秒激光烧蚀硅的瞬态演化特性,建立了飞秒激光烧蚀硅材料理论模型,并进行了仿真研究。研究表明:飞秒激光可在脉宽时间内激发大量的电子,使其浓度超过损伤阈值,而此时晶格仍保持在较"冷"状态,直到1 ns量级才达到熔点温度;电子温度也会在脉宽时间内急剧拉升至104K量级,随后将能量缓慢地释放给晶格,直到10 ns量级才与晶格达到热平衡。电子存在两次急剧升温的过程:第一次起于自由电子吸收,止于电子与晶格的能量耦合;第二次起于单光子和双光子吸收,止于脉冲结束。脉冲能量越大,电子密度和温度越高;脉宽越短,电子温度越高。     

伪芯片防护研究进展及其挑战

伪芯片是与正品芯片存在差异的芯片,主要包括以假充真、以次充好、以旧充新等形式,可能导致使用寿命降低、信息泄露、系统瘫痪等严重后果,大大降低了信息系统的安全性和可靠性。随着集成电路芯片供应链的全球化发展,伪芯片问题日益突出。围绕伪芯片检测与预防两个方面,介绍了美国所制定的相关法规和标准以及伪芯片的分类方法,重点对比分析了物理检测、电气检测、旁路分析等伪芯片检测方法,讨论了芯片ID和包装ID两种方式的芯片防伪措施,最后提出了开展伪芯片问题相关研究所面临的挑战。     

多功能结构在航天设备中的优化应用

介绍了多功能结构技术中多芯片组件技术(MCM)、柔性电路板、热功耗控制、高密度互联通路、电磁屏蔽、异形安装等几个关键技术,并以航天测试系统中典型设备为原型,采用上述新技术重新设计并研制出新样机。该样机在保证电路功能和原型设备一致的前提下,将质量缩减为原型机16%,体积也仅为原型设备的35%。并通过相关实验验证了多功能结构技术的优越性和可靠性,促进了MFS技术在国内航天领域的推广和发展。     

锥脊波导SOA光耦合机制的理论分析

针对半导体光放大器 (SOA)与单模光纤的耦合问题 ,详细介绍了当前最新的锥脊光波导耦合技术 ,用光波电磁场干涉理论建立了锥脊光波导的传输模式方程 ,并根据光波的全反射理论 ,揭示了锥脊光波导等效折射率的渐变规律 ,从理论上分析了锥脊波导SOA的光耦合机制 ,理论分析与相关报道的实验结果吻合 .