国事要闻

中共中央、国务院、中央军委电贺我航母完成交接;我国“一箭双星”成功发射两颗北斗导航卫星;中共中央、国务院印发《关于深化科技体制改革,加快国家创新体系建设的意见》;中组部、人力资源和社会保障部、中宣部等11部委联合出台《国家高层次人才特殊支持计划》;国家发改委等五部门联合印发《国家规划布局内重点软件企业和集成电路设计企业认定管理试行办法》;工业和信息化部等三部门联合发文推进工业节能减排技术成果应用;工信部制定“百项技术创新推进计划”;     

“莫斯”项目化解半导体制造成本困境做法

从“莫斯”（MOSIS）项目发展历程、扮演的半导体供应链集成商角色、服务模式、制造能力等方面进行深入研究和分析,并提出对我国的启示。自1981年启动至今,美国国防高级研究计划局的MOSIS项目为美国国防部、高校和科研院所、集成电路设计公司等持续提供包含设计、制造、封装、检测等环节在内的全流程集成电路拼版制造服务。楷登、新思和明导等公司的先进电子设计工具,IBM、三星、台积电、英特尔、欧洲硅光子学支持中心等公司和机构提供的硅、硅光电、化合物半导体等先进制造能力,有效降低了半导体制造成本,特别是一定程度化解了美国国防部无力负担先进制造成本的困境,在推动美国超大规模集成电路发展、半导体产业人才培养等方面取得显著成效。     

温度对半导体激光器退化的影响

采取等效电路模型仿真和加速退化试验相结合的方法研究温度对半导体激光器不同退化模式的影响规律。针对半导体激光器有源区退化和腔面退化进行分析,发现有源区退化会使半导体激光器阈值电流增大,而腔面退化会使半导体激光器斜率效率减小;进行了半导体激光器热特性建模与仿真,发现温度升高会使半导体激光器阈值电流增大;利用半导体激光器加速退化试验平台进行了半导体激光器加速退化试验。仿真与试验结果证明:温度升高会加剧半导体激光器腔面退化,而对有源区退化无显著影响。上述结论对进一步完善半导体激光器温度-退化仿真模型,研究温度对半导体激光器退化的作用机理和防护措施有积极作用。     

130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10~(-12),与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。     

高速信号传输与PCB设计实现技术

高速数字系统的主题在不断提高,超大规模集成电路也在不断朝着集成度更高,芯片面积更小的方向发展,整机系统级工作频率及其互连速度就越来越成为高速数字系统实现设计期望的瓶颈。近年来,现代高性能微处理器的速度接近1GHz,芯片间传输速率也达到几百兆赫,并且还会再提高。与之相适应,出现了工作速度超过500MHz的SRAM,能直接与高速微处理器相连接工作,所以需要开发更高速度的信号传输方式,以及研究更高速度的低电平、低摆幅的接口电路技术。同时,超过100MHz以上的PCB板上的互连线(印制线)的电特性也随频率的变化而剧烈变化,因此必须关心高速数字信号板的信号完整性问题、关心噪声、反射、衰减、地线的抖动、接插件阻抗的变化和敏感信号线上其他形式的信号品质的下降等高速传输和互连设计实现问题。     

ADTA-1：一种嵌入式异构双核微处理器

针对多核日益严重的功耗问题,利用异步技术在低功耗方面的优势,结合数据触发结构设计并实现了一种嵌入式异构双核微处理器(ADTA-1).该设计将异步设计应用于嵌入式多核微处理器中,并在芯片中对异步微处理器进行了测试,验证了异步电路在多核微处理器中的有效性和低功耗特性,为进一步设计和实现低功耗异步多核微处理器进行了有益的探索.     

电子设备的射频干扰效应研究

首先应用有限元方法(FEM),研究了电磁脉冲信号通过孔缝进入电子设备的情况,并进一步计算了宽带电磁信号与机箱内板级微带电路耦合而产生的感应电流,最后使用非线性电路分析软件(PSpice)分析了电磁耦合能量对电子线路中的半导体器件所造成的射频干扰效应.此项研究为防空武器杀伤目标提供了一种新的杀伤机理,也对防空武器防止电磁杀伤提供了一种途径,对武器系统的研制有一定的指导意义.