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2000年 | 4篇 |
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1998年 | 8篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1989年 | 2篇 |
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新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多层管芯堆叠结构的三维静态存储器软错误特性,搭建了三维静态存储器软错误分析平台。利用该平台对以字线划分设计的三维静态存储器和同等规模的二维静态存储器分别进行软错误分析,并对分析结果进行对比。研究结果表明二维和三维静态存储器的翻转截面几乎相同,但三维静态存储器单个字中发生的软错误要比二维静态存储器更严重,导致难以使用纠检错技术对其进行加固。静态模式下二维和三维静态存储器敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。 相似文献
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本文介绍了水泥土搅拌桩在施工中应注意的一些事项,并提出施工不当会出现的几种问题及应对措施,提出应严格控制施工管理、施工组织,保证施工质量。 相似文献
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CY7C630/1XXA系列芯片是具有OTP和RSIC特性的低速USB接口微控制器,适用于低速计算机外调,可作为MCS-51和PIC类单片机扩展USB接口的控制芯片,本文介绍了CY7C630/1XXA的一般性原理,给出了应用电路及相关参数,指出了在单片微机USB接口应用中的优点。 相似文献
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分析验证了传统D触发器型PFD结构的SEE敏感性,提出了一种新型的SEU/SET加固鉴频鉴相器,SPICE模拟结果表明该结构功能正确,对于1GHz的时钟信号,鉴频鉴相的精度可达0.8rad.锁相环的整体模拟结果表明,抗辐照的PFD与传统的PFD相比,锁相环的电学性能没有改变,锁定时间保持一致.对传统D触发器型PFD和设计加固的PFD进行了遍历轰击模拟,结果显示,提出的抗辐照PFD加固效果非常明显,敏感节点的数目可以降低80%左右. 相似文献
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由于具有低功耗、高速度、高集成度等优点,单电子晶体管成为最有前景的纳米电子功能器件之一.但是,由于结构上的特殊性,单电子晶体管只能在低温下正常工作,该特性限制了其实用化进程.因此,研究可在室温下工作的单电子晶体管具有重要意义.在分析单电子晶体管工作机理的基础上,计算了单电子晶体管室温工作的基本条件,并实验制备出了样片.测试结果表明,所制备的单电子晶体管可在室温下表现出库仑振荡等基本特性.该研究成果将为单电子晶体管的集成实用化打下良好的基础. 相似文献
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在对砂卵石地层地质特点分析基础上,研究了此种地层中应用大直径人工挖孔桩时易出现的勘察失真、设计上未正确确定桩端阻力、施工中不按规范施工等问题,指出了应从勘察、设计、施工上采取的相应措施。 相似文献
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提出一种电磁带隙结构交错排列的单脊波导缝隙相控阵天线,并与相同尺寸的普通单脊波导缝隙相控阵天线作比较。测试结果表明该天线的方向图得到了明显的改善,单元之间的耦合系数减小,背瓣的辐射电平显著降低,扫描特性得到了改善;同时也说明了电磁带隙结构可以取得比扼流槽更好的抑制表面波的效果。这对于提高单脊波导缝隙相控阵天线的辐射性能具有重要意义。 相似文献