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182.
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基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电路中传播的SET(Single Event Transient)脉冲宽度。对于最佳工艺拐角,离子轰击后收集的电荷量可以降低约38%,而在最坏工艺拐角下,收集的电荷量则会增加79%。这些结论对FinFET工艺下的SET减缓及抗辐射加固设计提供了一种新的思路。 相似文献
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通过试验研究气液同轴直流式和气液同轴离心式喷嘴的雾化性能。研究表明:喷嘴出口扩张时可以改善喷嘴的雾化性能;气液同轴直流式和气液同轴离心式喷嘴都存在一个合适的缩进长度,在改善喷嘴雾化特性的同时对总流量影响较小;在相同条件下,气液同轴离心式喷嘴的喷雾性能要优于气液同轴直流式喷嘴的喷雾性能。 相似文献
186.
通过对空气采样式火灾探测系统的质量跟踪,介绍该系统的工作原理、主要特点和应用范围,并对应用该系统进行分析与思考. 相似文献
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何彬 《装甲兵工程学院学报》2000,14(3):37-41
应用zilog公司研制的新型直接序列扩频芯片-Z87200扩频收发器,设计实现用于战术电台数据传输的扩频通信系统研究.该系统设计以微型计算机作为数据终端,以高性能的16位单片微处理器80C196KB为控制核心,以新型超大规模集成电路Z87200直序扩频收发器为基础,组成-个具有一定智能,采用标准串行接口的直序扩频数据通信系统.该系统能够提供近20dB的处理增益,基本满足了战术电台数据通信的要求. 相似文献
189.
首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。 相似文献
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