高速信号传输与PCB设计实现技术

高速数字系统的主题在不断提高,超大规模集成电路也在不断朝着集成度更高,芯片面积更小的方向发展,整机系统级工作频率及其互连速度就越来越成为高速数字系统实现设计期望的瓶颈。近年来,现代高性能微处理器的速度接近1GHz,芯片间传输速率也达到几百兆赫,并且还会再提高。与之相适应,出现了工作速度超过500MHz的SRAM,能直接与高速微处理器相连接工作,所以需要开发更高速度的信号传输方式,以及研究更高速度的低电平、低摆幅的接口电路技术。同时,超过100MHz以上的PCB板上的互连线(印制线)的电特性也随频率的变化而剧烈变化,因此必须关心高速数字信号板的信号完整性问题、关心噪声、反射、衰减、地线的抖动、接插件阻抗的变化和敏感信号线上其他形式的信号品质的下降等高速传输和互连设计实现问题。     

130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10~(-12),与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。     

激光制备高附着性能的铜基类金刚石膜

提升类金刚石(Diamond-Like Carbon, DLC)膜在被保护基底上的附着能力具有明显的实际应用价值。从微观机理上分析了前期设计的Cu基多层DLC膜有效性的原因。在此基础上,研究了DLC/SiC循环层中两者厚度比例对膜层的附着性能、纳米硬度和耐磨性的影响,以优化结构、进一步提升实际应用所需的膜层性能。纳米划痕和压痕测试结果表明:随着DLC层与SiC层厚度比例的增大,多层DLC膜在Cu基上附着性能逐渐降低,但当厚度比小于2.3时,仍接近厚度400 nm的单层DLC膜在Si基上的附着性能;Cu基多层DLC膜的纳米硬度逐渐提高,同时,耐磨性接近纯DLC膜。     

斜入射条件下F-P干涉腔透过率特性分析

分析了斜入射角条件下F-P干涉腔的透过率特性;结合单层介质膜和单层金属膜的反射特性随入射角的变化规律,得出了反射特性参数为恒定值时微腔、低反F-P干涉腔透过率的计算误差;仿真结果表明,在光束斜入射条件下,特别是在大入射角下,单层介质膜的反射率指数增大,单层金属膜的反射率和反射相移也指数增大,但其吸收系数指数减小,造成微腔、低反F-P干涉腔透过率曲线与反射特性参数为恒定值时相比均明显向下偏移,且偏移量逐渐增大。     

均匀设计法在建立PELE爆裂效应关系模型中的应用

为了研究钢壳体PELE爆裂效应与影响因素之间的数学关系,对钢壳体PELE侵彻钢板进行了数值仿真和试验。采用均匀设计法设计仿真工况,将仿真结果进行回归分析,得出爆裂效应与影响因素之间的数学关系式,实弹侵彻实验结果与仿真结果基本吻合。研究表明,影响因素均与壳体爆裂长度成非线性关系,增大靶板厚度、弹芯长度和着速或减小壳体厚度均有利于提高钢壳体的爆裂效应。相关结论为PELE的工程设计和应用提供了理论基础。     

H2O2对镁合金稀土转化膜性能的影响

选择AZ91D镁合金为实验材料,利用扫描电镜和能谱分析、Tafel曲线和阻抗谱等分析手段,研究了H2O2的添加量对铈转化膜的微观形貌以及耐蚀性能的影响。结果表明：随H2O2添加量的增多,转化膜表面状态越不均匀,自腐蚀电位降低,转化膜电阻Rf变小,较为合适的H2O2添加量为5 mL/L。     

弹药：变革中加速向智能化蜕变

弹药是武器系统的重要组成部分，是战场上一支不可或缺的生力军。传统意义上，弹药是对目标实施硬毁伤的终端载荷，例如人们熟悉的杀伤榴弹、破甲弹、穿甲弹、子母弹、燃烧弹等，在战场上都曾大显身手。而今，随着战争的不断演进和高新技术的迅猛发展，特别是大规模集成电路、超高速集成电路以及计算机控制系统在弹药中的广泛应用，弹药也在悄悄孕育一场革命，一批机理独特、威力大、有灵性的智能化弹药脱颖而出。     

集成模拟乘法器实现振幅调制的另一种分析方法及应用

本文对双差分对集成模拟乘法器在单端输出的情况下,实现ＡＭ调制,ＤＳＢ调制及ＡＭ调制的调幅度Ｍａ进行全面分析和验证。应用所得的结论可以使双差分对集成模拟乘法器,在输入信号电压满足要求的条件下,实现ＡＭ调制,ＤＳＢ调制,其方法简便而实用。故在工程上有重要的应用价值。     

汞膜电极的制备及其在测定VX和沙林中的应用

制作了一种汞膜电极,利用该电极可方便准确地测定液中的含磷毒剂。