Φ2mm丝材电弧喷涂工艺对涂层结合强度的影响

分析了喷砂预处理和电弧喷涂这两个过程的工艺参数对涂层的结合强度的影响。将分数维理论用于喷砂后的试样表面,研究了喷砂角度、分数维和结合强度的相互关系,找到了获得最高结合强度所用的喷砂角度;通过正交试验法,找到了能获得最佳涂层结合强度的Φ2mm丝材电弧喷涂工艺参数。     

一维非均匀分布参数系统的渐近传递函数方法

提出了一维非均匀分布参数系统的一种通用解法：渐近传递函数方法。对一般的一维非均匀分布参数系统，引入状态变量将控制方程及边界方程写成状态空间形式。通过定义小参数和摄动方法，使之变成常系数微分方程，从而得到问题的摄动解。各阶摄动解均具有规范的形式，是一以传递函数为积分核的积分形式解析解。文中最后给出了一些数值算例，验证了方法的有效性。     

一种便于在微机上实现的密码体制

通过对便于在微机上实现的安全的椭圆曲线密码体制的讨论,给出了一类可以构造这种密码体制的椭圆曲线及构造密码体制时所要用到的椭圆曲线上的运算.     

时滞系统最优控制问题的数值求解

本文利用参数化方法成功地把两类时滞系统的最优控制问题转化为数学规划问题,从而得到数值解,并对一类线性二次问题探讨了方法的收敛性。     

TX2290型超高频数字电压表

本仪器与TX4861型、TX4864型显示器配合使用,可测量和调整VHF电视调谐器的各种参数,电视接收机总曲线、中放通道曲线等。TXS361A型可提供各国制式插件,机调和电调均适用,电调器三频道同时调试。扫描频率为50Hz或100Hz。1985年获国家科技进步三等奖。     

保凸均匀三次B样条插值曲线

均匀三次Ｂ样条曲线虽然具有保凸性,但曲线不通过任何控制顶点,我们在相邻两个控制点之间插入两个新的控制顶点后,所产生的新的均匀三次Ｂ样条曲线不但插值原来所有控制顶点,而且还保凸。本文描述的曲线可以作局部修改,给出了两个数值例子。     

定常速度场假定下零级次弹性抛物柱体内力场的逆解法分析

本文针对零级次弹性抛物柱体,在形如V~1=ηf~1(t);V~2=—ξf~1(t);V~3=0速度场的假定下,给出了相应内力场的解析表达式及形成该速度场的应力边界条件。     

爆轰波在可压缩金属板面上斜反射初始参数的计算

本文计算了爆轰波在可压缩金属板面上斜反射时的初始参数。计算中选用的五种炸药是TNT(p_0为1.64g/cm~3,1.45g/cm~3)、RDX(p_0为1.59g/cm~3,1.76g/cm~3,1.80g/cm~3)、RDX/TNT(77/23)(p_0为1.75g/cm~3)、Pentolite(p_0为1.65g/cm~3,1.68g/cm~3)和B 炸药(p_0为1.71g/cm~3);三种介质是铁、铜和铝。     

一种基于统计参数映射融合独立成分分析的新的激活区探测方法

统计参数映射在某种程度上依赖于广义线性模型和高斯场理论。广义线性模型的缺陷在于这些假设不能很好地表示fMRI数据,并且脑活动分布模式和血液动力学模型也不能由广义线性模型回归方程来恰如其分地模拟。而独立成分分析不能够提供每一独立成分激活区的显著性估计,这使得实验者不能够很好地解释所获得的结果。提出一种将SPM和ICA技术进行融合的方法,此方法可以将ICA自身的某些优势和GLM的假设检验方法结合起来,互相取长补短。实验结果证明了这种方法在探测由运动任务所产生的激活区方面是有效的。     

磁控溅射制备SmCo薄膜的工艺及磁性研究

用直流磁控溅射方法制备了SmCo薄膜,通过正交设计实验考察了工艺因素对薄膜沉积速率的影响规律。研究结果表明,影响薄膜沉积速率的主要因素是溅射功率,其次为靶基距,在0.5～2.0Pa的压强范围内,Ar气压强的大小对溅射速率的影响很小。X-射线衍射结果表明:制备态的SmCo薄膜为非晶结构,500℃真空热处理后,薄膜中出现少量的微晶SmCo5化合物。磁性能测试表明:制备态SmCo薄膜的矫顽力随薄膜厚度的增加而显著下降;真空热处理过程中,薄膜结构缺陷及成分起伏减少,薄膜的矫顽力和饱和磁场强度显著下降,初始磁导率和饱和磁化强度显著增加。