巧用心理效应加强新兵训练管理

新兵训练阶段是培育过硬思想作风、练就过硬军事素质、锻造良好心理素质的最佳时机,新训干部骨干应该合理运用“心理效应”的影响,趋利避害地发挥它们的作用,在新兵训练管理中起到事半功倍的效果。     

语言测试的反拨效应与英语测试改革的几点建议

目前,我国英语测试种类繁多,并对教学产生了一些负面影响,致使英语教学存在着一定的应试倾向,而语言测试的正反拨效应,即以测试促进教学的作用却没有得到充分体现。如何使测试对教学起到促进作用,解决此问题的关键就是修改英语测试的题型,使题型多样化,尽量采用能考查学生语言应用水平的题型,并增设英语口语水平测试。通过语言测试的正反拨效应促进英语教学,提高英语教学质量。     

论军事财政政策的三种效应

军事财政政策是政府和军队在军事财政工作中所制定和实施的一系列的准则和措施。在提供国防安全公共产品的同时,国家实施军事财政政策会对国民经济的运行、社会民众的总福利、国家技术发展水平和综合国力等方面产生诸多影响,即军事财政政策的效应。具体包括乘数效应、挤出效应和牵引效应。     

接触爆炸下沉箱重力式码头面板毁伤效应分析

为了探究接触爆炸荷载下沉箱重力式码头面板的毁伤效应,首先以码头上部面板结构小毁伤为目标,设计制作沉箱重力式码头模型进行了爆炸试验,得到1 kg当量TNT炸药在码头面板中央爆炸后码头面板的毁伤情况;然后,在此基础上运用LS-DYNA程序建立基于拉格朗日欧拉法的码头模型有限元数值模型,讨论了控制混凝土HJC模型单元失效删除的关键参数,通过与试验结果的对比确立了混凝土单元各失效准则的取值;最后,对不同炸药位置、不同炸药当量下码头面板的毁伤效应进行了数值模拟研究,得到了不同的毁伤模式和具体的毁伤过程。结果表明:不同爆炸位置码头面板毁伤过程初始阶段具有相似性,之后受爆炸位置结构形式的影响毁伤模式体现出差异性;炸药当量增加会使毁伤程度加剧,相同炸药当量下,管沟处爆炸的毁伤程度要明显重于中间仓格处。     

内蒙古一机集团神鹿焊业公司 坚守市场 苦寻生存之路

<正>神鹿焊业围绕"特种、高端、创品牌",以"不锈钢焊丝、碳钢高强焊丝、特种焊条"为主导产品,以技术改造推动产品结构调整,形成高附加值、高利润、成长型的产品结构体系。"以我为主,做强内部市场,解决生存问题;合资合作,做大外部市场,开辟发展之路。"截止2014年10月末,中国兵器工业集团内蒙古一机集团神鹿焊业公司完成销售收入1605万元,同比增长80%,连续两个月实现当月经营持平,同比减亏158万元。根据     

自适应均衡器非维纳效应的仿真研究

窄带干扰条件下,自适应滤波器产生非维纳效应。在分析非维纳效应产生机理的基础上,详细仿真研究了强单音干扰条件下,自适应均衡器的收敛和跟踪性能。通过研究得出了一些新的结论:多径和干扰的功率严重影响自适应均衡器的收敛速度,而干扰的频率对收敛速度几乎没有影响;固定的强单音干扰对自适应滤波器的信道跟踪性能影响较小;慢变的强单音干扰对跟踪性能影响较小,快变的单音干扰将对跟踪性能造成严重影响。     

线索效应及其教育实践的意义

本文在分析了线索效应的基础上,从教学课堂、教学对象、教学方法等方面阐述教学改革的理念,使教学活动中各种资源有机结合,充分体现线索的优势效应。在心理学、教育学的学科交叉相融理念的指导下,积极优化教学方法、创设良好的教学环境、最大限度地开发学生潜能,充分体现出线索效应对提高教学质量、改善教学效果、加强学生综合素质培养所提供的参考价值,为教育教学改革提供建设性的教育实践依据。     

反潜鱼雷战斗部对典型潜艇目标毁伤效应研究

为提高反潜鱼雷作战能力,增强对潜艇目标毁伤的能力,研究3种聚能战斗部对典型潜艇目标的毁伤效应评估问题.开展了典型潜艇靶板毁伤试验及数值仿真,验证了数值仿真方法的合理性.利用AUTODYN数值仿真软件分别模拟球缺药型罩、圆锥+球缺组合药型罩和双球缺组合药型罩等3种聚能战斗部射流的形成、质量分布和头部速度,给出了聚能战斗部...     

气体分子碰撞传能及反应的DSMC 仿真

研究了气体分子的非弹性碰撞机理,给出了分子内自由度激发、反应的几率选择模式及分子内自由度能量交换模式。以钝体驻点线流场为仿真实例,比较了ＤＳＭＣ仿真结果与粘性激波层方程计算结果。二者在较低高度时的一致表明ＤＳＭＣ仿真中采用的模式是合理的。     

25nm鱼鳍型场效应晶体管中单粒子瞬态的工艺参数相关性

基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电路中传播的SET(Single Event Transient)脉冲宽度。对于最佳工艺拐角,离子轰击后收集的电荷量可以降低约38%,而在最坏工艺拐角下,收集的电荷量则会增加79%。这些结论对FinFET工艺下的SET减缓及抗辐射加固设计提供了一种新的思路。