采用PLD技术加快数字电路的设计速度

以Ａｌｔｅｒａ公司的ＰＬＤ系列器件为例,介绍了有关ＦＰＧＡ和ＣＰＬＤ可编程逻辑器件的基本特点和应用。同时结合ＭＡＸ＋ＰＬＵＳＩＩ开发系统,介绍了开发ＰＬＤ器件的一般过程,指出采用ＰＬＤ器件可以提高数字电路设计的速度和质量,是ＥＤＡ技术发展的必然趋势。     

微电子集成电路中的IP核

IP在ASIC(Application Specific Integrated Circuit)及PLD（Programmable Logic Device)的设计和生产中具有重要的作用,IP发为硬IP核和软IP核,它们具有各自的优缺点,文中例举了一种软IP核－RISC8。最新类型的IP核为可配置IP。它是硬IP和软IP的综合。IP复用可以大大缩短芯片上市时间,IP验证对保证复用正确非常重要。     

新型逻辑器件与数字电子产品的系统集成研究

提出了一种实现电子产品系统集成和小型化的设计思想 ,探讨了采用FPGA (FieldPro grammableGateArray) ,SOC(System On a Chip) ,IP(IntellectualProperty)等新型逻辑器件以及EDA(ElectronicDesignAutomation)手段的设计方法 ,实现软硬件协同仿真、验证和电子虚拟样机以及设计重用的设计理念 ,为 2 1世纪智能电子产品的系统集成开辟了一条先进的技术途径。     

面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应

研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示：GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。     

微电子器件方波EMP注入敏感端对的实验研究

采用方波注入法,对国外某知名公司生产的两个批次的晶体管进行了实验,比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP敏感端对与人们一般研究的结论有所不同。     

功能奇特的特种弹药

在弹药家族中,有一种在杀伤机理上与传统弹药有很大区别的弹药,这就是特种弹药。特种弹药虽然不像传统弹药那样为人们所熟悉,但它却能执行多种特殊作战任务,尤其随着科学技术的日新月异,传统弹药技术与微电子技术、自动化技术等当代先进技术的有机结合,特种弹药在结构、性能和战术使用方面都有了新的内容,使之具有传统弹药所不能具备的功能。目前已经研制成功或正在研制的特种弹药品种己有数十个品种。一、供作战行动使用的弹药摧毁弹是一种用于海上作战的新型弹药,它爆炸后产生的强大的电磁波,能摧毁敌舰上的雷达、通信设备、武器指挥系统…     

人机对话零距离——可穿戴计算机

计算机正朝着越来越方便携带的方向发展。从桌上型向膝上型,又向笔记本型、掌上型发展。近年来,可穿戴计算机悄然成为研究热点。