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172.
基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电路中传播的SET(Single Event Transient)脉冲宽度。对于最佳工艺拐角,离子轰击后收集的电荷量可以降低约38%,而在最坏工艺拐角下,收集的电荷量则会增加79%。这些结论对FinFET工艺下的SET减缓及抗辐射加固设计提供了一种新的思路。 相似文献
173.
介绍了一种新建的适用于生物效应研究的高场强电磁脉冲(EMP)模拟器,描述了其工作原理、设计参数。调试结果表明,此模拟器达到了设计要求,且性能稳定。动物实验已初步表明,高场强EMP可致大鼠中枢神经系统血液循环障碍,神经细胞变性,突触结构模糊等改变。 相似文献
174.
175.
176.
多普勒频谱及JEM效应在空中目标识别中的应用分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为了获取进行空中目标识别的有效特征量,分析了多普勒频谱结构识别、调制谱识别和JEM周期特征识别等方法.采用将相位和幅度综合的方法,获得了更接近理论值的JEM周期平均值特征量,仿真结果说明综合特征量具有较小的估计标准差.最后,指出了该领域可能的研究方向. 相似文献
177.
178.
研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示:GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。 相似文献
179.
研究基于中国综合社会调查2010年及2017年的微观数据,运用中介模型对七个多民族地区劳动者国家通用语言能力在受教育程度对其收入影响中的中介效应进行分析。得出在受教育程度对个体收入的正向影响中,国家通用语言能力起到部分中介作用,对劳动者收入有明显促进作用,且随着多民族地区经济发展以及推普工作的开展,国家通用语言能力对个体收入的正向影响力有所减弱,受教育程度对个体收入的正向影响力有所增强。因此应注重通过提升劳动者国家通用语言能力促进多民族地区经济发展,持续重视国家通用语言能力在多民族地区劳动者就业能力中的基础性作用以及为其带来的经济收益。 相似文献
180.