笼型转子无刷双馈电机d-q模型与控制特性仿真

无刷双馈电机是一种新型的适于变频调速系统使用的电机,其结构型式和工作原理与传统交流电机相比具有较大的区别.针对转子结构为笼型短路绕组的无刷双馈电机,建立了其在转子旋转坐标轴下的d-q数学模型,导出了电磁转矩表达式,并应用该模型对该类电机的控制特性进行了仿真研究,仿真结果验证了模型的正确性.     

努力建设落实科学发展观的坚强班子

党委班子是部队建设的“龙头”和指挥部。贯彻落实科学发展观,推动部队建设全面、协调和可持续发展,必须努力建设知识型、团结型、务实型、开拓型的坚强党委班子。     

修官德·增才能·重情感——一线带兵人增强非权力影响力的三个基本途径

非权力影响力是由领导者自身素质形成的,对群众有一种内在的感召力、说服力、凝聚力．其实效比领导干部以权力实施领导更重要、更根本、更持久。一线带兵人必须明白．仅仅依靠权力带兵是不行的．还必须依靠自身的人格力量、才干力量、情感力量来赢得兵心。     

内外兼修培育军民融合型企业创新主体

自从熊彼特创新理论创立以来,对企业创新能力的研究一直是一个热点问题,随着研究的深入,人们逐渐认识到创新是一个系统性问题。于是,在1987年,英国著名学者弗里曼(C.Freeman)在对日本战后经济腾飞分析的基础上,提出了“国家创新体系(”NationalInnovationSystem)的概念。虽然,“国家创新体系”中包含众多的主体,但不争的事实是,这个体系的核心是企业,而系统的其他部分参与创新的目的是为其服务。正如经济合作与发展组织(OECD)1997年的《国家创新体系》报告指出:“创新是不同主体和机构间复杂的互相作用的结果……这一系统的核心是企业,…     

国家权力、影响与等级:单极世界的国防工业

国家权力是一国迫使他国按照本国目的和利益而行为的一种能力;影响力是说服他人的能力。一个国家奖惩不合作组织的能力越强,则该国的权力和影响力越强。但国家权力转换成有效政策工具则取决于该国的比较优势。美国在全球国防工业中扮演着主导     

回归型支持向量机的机翼结冰冰型预测

飞机结冰严重威胁着飞行安全。针对机翼结冰冰型预测时不确定性因素较多、难以准确预测的问题,提出了一种基于回归型支持向量机的机翼结冰冰型预测方法。在建立冰型模型的基础上,利用回归型支持向量机(Support Vector Regression,SVR)获得冰型多项式系数,从而预测出相关飞行条件和大气条件下的冰型。仿真结果表明,该方法具有较好的预测能力,可以及时提供可靠的结冰信息,为保证结冰条件下的飞行安全提供了保障。     

强化党委班子整体功能

胡主席在"七一"重要讲话中,告诫全党要清醒看到面临的"四种考验"和"四个危险",对提高党的建设科学化水平提出了"五个必须"的新要求,这是加强党委班子建设的根本遵循和科学指南。联勤部队各级贯彻落实胡主席重要指示、大力加强党委班子建设,必须紧紧围绕坚强有力、奋发有为"目标,以构建"学习型、效能型、和谐型、清廉型、务实型"党委班子为载体,把握实践要求、在解决现实问题上下功夫,     

水下滑翔机建模与纵向运动控制

水下滑翔机是一种浮力驱动的新型水下航行器,其特殊的驱动方式和结构特点增加了建模和控制分析的复杂度。为获得准确有效的水下运动控制方法,通过滑翔机运动学和动力学分析,建立了较为完善的三维空间数学模型,并进行了合理的假设和简化,得到纵平面内小扰动线性化模型。在此基础上,运用了线性二次型最优控制理论设计了LQR调节器,分析系统对于控制指令的跟踪响应情况。最后针对滑翔机的纵平面运动进行了仿真分析,仿真结果显示,LQR调节器有很好的干扰抑制能力和指令跟踪性能,并准确地描述了纵平面内滑翔机的运动特性。     

栅格数据处理中邻域型算法的并行优化方法

随着并行计算的成熟,众多数据密集型的栅格处理算法亟需利用并行计算来缩减执行时间.针对其中一类邻域型算法,构建了用于估计是时间代价的串行/并行时域模型,分析了各个组成的代价影响因素,提出了降低数据I/O代价的并行I/O方法和降低数据通信代价的光圈预测方法.实验证明,所提的两个优化方法可以使邻域型栅格处理算法的并行程序更加充分地利用并行计算资源,进而在一般并行化的基础上进一步提升其并行性能.     

25nm鱼鳍型场效应晶体管中单粒子瞬态的工艺参数相关性

基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电路中传播的SET(Single Event Transient)脉冲宽度。对于最佳工艺拐角,离子轰击后收集的电荷量可以降低约38%,而在最坏工艺拐角下,收集的电荷量则会增加79%。这些结论对FinFET工艺下的SET减缓及抗辐射加固设计提供了一种新的思路。