自适应均衡器非维纳效应的仿真研究

窄带干扰条件下,自适应滤波器产生非维纳效应。在分析非维纳效应产生机理的基础上,详细仿真研究了强单音干扰条件下,自适应均衡器的收敛和跟踪性能。通过研究得出了一些新的结论:多径和干扰的功率严重影响自适应均衡器的收敛速度,而干扰的频率对收敛速度几乎没有影响;固定的强单音干扰对自适应滤波器的信道跟踪性能影响较小;慢变的强单音干扰对跟踪性能影响较小,快变的单音干扰将对跟踪性能造成严重影响。     

辉煌四十年 高歌戍边情

1969年4月14日,兵团党委决定成立农九师。同年5月1日,农九师召开成立大会,从此,垦区屯垦戌边历史揭开了崭新一页。2009年,农九师已经成立了40个年头。     

信息流中的隐形信息提取和还原技术研究

提出基于变化域的信息隐藏检测算法和基于彩色静止数字图像的信息隐藏提取算法,将小波变换的放大信息与显示隐藏信息及其相反过程的功效挖掘出来,基于信息隐藏对载体特性影响的模型,建立通用的隐藏信息提取的数学模型和面向"信息隐藏对载体特性影响"集合的正变换函数和逆变换函数,对信息进行标识、分析、提取和还原,使之能破除还原隐藏信息,达到较好的信息识别与分析效果,从而实现快速提取隐藏数据电子证据.     

基于置信椭球的V/M故障检测与隔离算法改进

动态系统的故障诊断技术在组合导航系统中有着重要意义.首先介绍了一类经典状态一致性故障检测/隔离方法-Kerr的基于置信椭球的V/M处理方法的原理与处理过程.Kerr的V/M方法以偏差方向的累计和进行隔离判断,可能发生两种情况下的隔离模糊问题.为此,对Kerr的经典V/M算法进行了改造,在其投票函数中采用偏差距离的累计代替偏差方向的累计,使得故障隔离的敏感性大幅度增加,解决了经典V/M算法在实用中存在的第一种情况下的隔离模糊问题.采用算例证明了新方法的有效性.     

面向军民两用产业“双循环”的云检测生态模式转型

针对国内军民产业升级对高品质检测的需求和国内检测装备行业制造业服务化转型的需求,探索检测领域的融合创新路径,以技术研究打通检测产品全链路,为检测产业高速发展奠定基础为正向主线,形成基于“技术-产品-产业”三个纬度的“军+民”云检测双循环自闭环体系,通过循环内生自驱力推动云检测生态形成与发展,形成对内服务型号质量“三高”提升,对外输出先进检测技术的良好局面。云检测生态构建推进了整个检测学科发展,形成专家涌现的态势,持续推动检测技术研究深化,为技术持续领先奠定人才、物质与科研环境基础。     

面向数字射频存储的雷达欺骗干扰检测方法

基于数字射频存储(digital radio frequency memory,DRFM)技术的转发式欺骗干扰与真实雷达回波高度相干,这导致雷达难以分辨真假目标。针对该问题,提出一种基于Hough变换的DRFM欺骗干扰检测方法。建立基于线性调频的干扰信号模型,分析其谐波分量的频谱特性,采用短时傅里叶变换和二维恒虚警率检测器对干扰信号进行特征提取,并利用Hough变换完成欺骗干扰检测。所提方法是基于DRFM欺骗干扰本身的特征,不依赖于先验信息与应用场景,计算复杂度低,且在低信噪比条件下具有良好的检测性能。计算机仿真实验验证了方法的有效性。     

智能化装备检测能力建设研究

装备检测是装备性能监测、故障预测和诊断、健康管理、战斗力评估和再生的基础和前提.随着大数据、云计算、智能算法、智能芯片等智能化技术的突破性发展,军事智能化时代已经在全球兴起,并驱动装备体系向信息化、智能化方向发展.针对信息化、智能化装备综合性强、技术性高、战斗力强及结构复杂等特点,本文首先给出了装备检测的意义,然后分析...     

多民族地区受教育程度、国家通用语言能力对劳动者收入的影响分析——基于中介效应视角分析

研究基于中国综合社会调查2010年及2017年的微观数据,运用中介模型对七个多民族地区劳动者国家通用语言能力在受教育程度对其收入影响中的中介效应进行分析。得出在受教育程度对个体收入的正向影响中,国家通用语言能力起到部分中介作用,对劳动者收入有明显促进作用,且随着多民族地区经济发展以及推普工作的开展,国家通用语言能力对个体收入的正向影响力有所减弱,受教育程度对个体收入的正向影响力有所增强。因此应注重通过提升劳动者国家通用语言能力促进多民族地区经济发展,持续重视国家通用语言能力在多民族地区劳动者就业能力中的基础性作用以及为其带来的经济收益。     

面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应

研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示：GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。