基于电压变化率的改进下垂混合储能控制方法

为改善直流微网中复合储能下垂控制功率分配的灵活性,提出了一种基于自定义电压变化率动态改变下垂系数的控制方法,并设计了电流归零控制器,可以实现储能暂态和稳态功率的合理分配,分析了参数变化对控制效果的影响。在PSCAD中搭建了含储能的直流微网模型,仿真验证了所提方法的正确性。     

130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10~(-12),与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。     

载体感应磁场的改进积分方程法

针对几何结构复杂的载体感应磁场计算问题,提出采用面单元和体单元分别对铁磁物体薄壳体结构、非薄壳体结构剖分,并实现了感应磁场的积分方程法计算。球-球体模型解析算例表明,所提方法数值精度可靠,其平均相对误差不超过0.27%;船舶模型仿真算例表明,该方法在单元量规模较小时计算精度较好,体现了方法在载体感应磁场建模方面的优势。将该方法分别应用于潜艇主舱段-设备模型和潜艇主舱段模型磁场计算时,数值结果与实验结果平均相对误差均小于2%,数值和实验结果比较表明,铁磁设备对模型磁场影响显著。仿真和实验算例均表明所提方法可有效应用于载体的感应磁场计算,具有一定的工程实用价值。     

入射频率对高功率微波与等离子体相互作用的影响分析

通过建立等离子体中的波动方程、电子传递方程和重物质传递方程,研究了等离子体对高功率微波传输特性的影响。研究了高功率微波与等离子体相互作用中产生的电子密度和透射电场的变化过程,并重点分析了变化过程中入射波频率产生的影响。研究结果表明,在相互作用过程中,等离子体中的电子密度和透射电场在一定条件下会发生阶跃变化,即等离子体区域平均电子数密度会在极短的时间内由1×10~9m~(-3)增加到1×10~(19)m~(-3),平均电场强度也会由初始场强跃变为零,并且这种变化的产生存在一定的入射阈值场强和最低产生时间。当入射电磁波的频率不同时,产生阶跃变化所需的场强阈值和最低产生时间就会变得不同,高功率微波与等离子体相互作用中存在一定的色散效应。在所考虑的范围内,阈值场强随入射波频率线性增长,而最低产生时间随电磁波频率呈非线性增长变化。     

美军改打混合战争——军事科学院研究员焦亮谈美国新战争理论

据美国《纽约时报》7月23日报道,美军将采纳新的作战理念,从过去同时打赢两场主要常规战争的理念向应对包括常规战争和反恐、反叛乱行动在内的“混合战”的新理念转变。这一新理念的宗旨是确保美军能够处理各种可能的威胁,除了应对常规战和反恐、反叛乱行动外,还能应对包括计算机网络攻击、遮蔽卫星定位系统、精确制导导弹袭击和路边炸弹袭击,以及视频和网络“宣传战”。据悉,这种新理念将在预定于明年发布的美国国防部《四年防务评估报告》中正式予以确立。那么,什么是“混合战争”理论？它有哪些创新之处？对美军建设又会产生什么潜在影响？针对上述问题,本刊记者近日采访了军事科学院世界军事研究部焦亮研究员。     

微波辐射Fenton反应降解罗丹明B研究

Fenton试剂在降解有机污染物方面具有无二次污染等优势,但由于存在降解速率较慢的缺陷,在工程实践中尚未得以推广应用。考虑到微波具有促进有机化学反应速率的功能,采用微波和Fenton试剂联合作用氧化降解罗丹明B,对降解罗丹明B的优化实验条件进行了研究。首先研究了单一因素对降解效果的影响,然后对各种因素的综合作用效果进行了分析,得出了降解的优化实验条件。研究表明,微波能有效促进罗丹明B的降解脱色,而且能大大缩短反应时间,降低反应成本,增强Fenton氧化反应的活性,提高降解效果。     

一种GMM-SVM混合说话人辨认模型

文中提出了一种GMM和SVM混合说话人识别模型,在特征参数域和概率得分域对两种模型进行了融合。混合模型结合了GMM和SVM各自的优势,使SVM的概率输出兼顾各说话人模型内部和模型之间的信息,并有效解决了SVM训练算法复杂,难以处理大量样本的问题。采用TIMIT数据库进行了说话人辨认实验,结果证明本文提出的GMM-SVM模型比传统的GMM模型和SVM模型具有更好的辨识性能。     

高频波段线型阵列方向图分析

对高频波段线型阵列方向图进行了分析。假定各阵元采用有向天线,研究了阵元天线的半功率波瓣宽度对阵列方向图栅瓣情况的影响,指出在采用窄波束条件下稀布阵列并不会引起栅瓣;分析了天线馈源位置准确和实际有误差情况下的阵列方向图,还分析了通道引起的波程差对方向图的严重影响,指出了可能的改进措施。