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1988年 | 1篇 |
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31.
电子产品在振动环境中的损伤效应研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在分析电子装备结构特点及冲击振动环境影响因素基础上,阐述了电子产品在冲击振动环境中的损伤机理与模式。以某型雷达装备为试验对象,选取该装备某型组合体与电路板进行冲击振动与扫频振动试验,分析了电子产品在振动环境中的损伤规律。试验表明:电子产品在振动环境中的损伤不仅与振动类型及幅值有关,也与其自身结构有着密切的关系。 相似文献
32.
集成电路方波脉冲注入损伤效应实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为了得到各损伤参数随脉宽的变化规律,寻找建立评价复杂EMP波形对集成电路损伤模型的依据,对2种典型的集成电路器件进行了方波脉冲注入损伤实验。结果表明:RAM6264损伤电压、电流及功率均随脉宽增大而减小,损伤能量处于某一小范围之内,可能属于能量损伤型器件;BG305损伤电压、功率随脉宽增大而减小,损伤能量随脉宽增大而增大,损伤电流处于某一个小范围之内,可能属于电流损伤型器件。 相似文献
33.
以某型雷达系统为试验对象,选取典型系统的组合电路,进行方波脉冲注入对比试验,研究了电磁脉冲对系统中组合电路的损伤规律。试验表明:电磁脉冲对组合电路的损伤与电路结构有关,损伤过程是一个渐变的过程,注入脉宽越大其损伤电压越小,能量可能是造成电路功能损伤或失效的主要因素。 相似文献
34.
35.
36.
37.
简要介绍国际标准(草案)ISO/DIS 11254《光学表面激光损伤阈值测试方法》,阐明其合理性、先进性,并对不足之处加以说明。 相似文献
38.
39.
针对可靠性强化试验的全轴随机振动环境的超高斯幅值分布特性开展其疲劳强化机理研究。首先通过理论分析表明RS机振动激励下试件应力仍保持超高斯分布,然后证明了同等量级下的超高斯分布比高斯分布随机应力具有更高的疲劳强化效能,从而揭示RS机全轴随机振动环境超高斯幅值分布特性的疲劳强化机理。 相似文献
40.
在引发21世纪武器装备革命性变化的高新技术中,以生命科学为基础的综合性技术——生物技术将成为军事高技术的制高点。有识之士认为,现代化生物武器是一支重要的或慑力量,在未来战场上,生物武器比原子弹更可怕。据有关专家预测,21世纪将有十大生物技术应用于军事领域。 相似文献