用于SiC光学材料高效加工的电弧增强等离子体加工方法*

由于SiC光学材料具有高化学稳定性,使其在普通的等离子体加工中难以获得较高的加工效率。在等离子体加工实验中,我们发现提高等离子体的自身射频电压,可增强等离子体与SiC材料之间的电弧放电作用,而借助电弧的增强作用提高SiC材料的加工效率,因此本文提出了电弧增强等离子体加工方法。为研究电弧的形成原理,本文使用自制的探针分别测量了普通电感耦合等离子体和电弧增强等离子体的电压。并分别使用传统方法和电弧增强方法对S-SiC进行直线扫描加工实验,证明了电弧增强等离子加工方法在加工过程中具有更高的加工效率。     

螺旋形爆炸磁压缩发生器

为了得到高电压的输出,从爆炸磁通量压缩发生器的工作原理入手,在单端起爆装置的基础上,设计了一种两端起爆的螺旋形爆磁发生器,并给出了实验结果和分析。     

一种基于电压空间矢量控制的三相静止变流器设计

提出了一种以三相电压的合成电压空间矢量为控制对象的三相静止变流器的设计.该设计的优点在于,在三相负载不对称的情况下,能够保持三相电压的平衡.最后给出了该系统基于DSP的实现.试验结果验证了该方案的可行性.     

方波注入对组合电路损伤效应研究

以某型雷达系统为试验对象,选取典型系统的组合电路,进行方波脉冲注入对比试验,研究了电磁脉冲对系统中组合电路的损伤规律。试验表明:电磁脉冲对组合电路的损伤与电路结构有关,损伤过程是一个渐变的过程,注入脉宽越大其损伤电压越小,能量可能是造成电路功能损伤或失效的主要因素。     

LDO稳压器敏感度建模与仿真技术研究

基于LDO稳压器在电磁干扰（EMI）下产生直流偏移失效的机理分析,展开敏感度建模与仿真方法研究。使用一款实验芯片,创新地引入片上电压传感器,用于测试EMI在LDO稳压器内部的传播特性。在敏感度建模中,建立等效电路模型,通过直流功能测试,Z参数阻抗特性测试验证模型的正确性,将该模型用于LDO稳压器的敏感度预测。在敏感度仿真过程中,通过分析关键子电路和不断增加寄生元件,仿真不同寄生因素对敏感度影响的权重。将仿真结果与传导直接注入法（DPI）片上测试结果对比,仿真结果与DPI测试在频域1MHz至1GHz匹配。     

非对称多相整流电路的计算

针对实际工作中可能遇到的非对称的３相、６相和１２相桥式整流电路,讨论了整流电压平均值的计算、整流电压波形的分析及电压纹波因数的计算等问题。     

火炸药静电起爆最小发火能量测试方法研究

分析研究了测量火炸药静电起爆最小发火能量的三种方法,并进行了大量的对比试验,提出了首先进行OSTR法试验,然后进行逐步降压法试验,从而得出火炸药静电起爆的最小发火能量。     

分析电路的改进节点法

本文针对含有理想电压源支路的电路,提出了改进节点法,其解变量为电路真正的独立节点电压(N-M-1),较之混合法(N+M-1)少(因其求解变量为节点电压和理想电压源支路的电流,其中 N 为节点数目,M 为独立电压源支路数)。文中还举例说明了这种方法的应用,并验证了它的正确性.     

1.8V供电8.2ppm/℃的0.18μm CMOS带隙基准源

带隙基准电压源是各类模拟/数模混合集成电路中的基础性部件,其性能直接决定了整体电路的稳定性。CMOS工艺中的衬底三极管的放大倍数β较小,"发射极-基极"通路对三极管的集电极电流的分流作用十分显著,导致带隙基准温度稳定性下降。此外,低电压条件下的电路缺乏足够的电压裕度,电源噪声的影响已经不可忽略,基准源的抗电源噪声能力亟待加强。针对上述两个问题,分别提出了自适应的"发射极-基极"电流补偿技术和使用电容直接耦合电源噪声负反馈的方案。基于0.18μm CMOS工艺的实现结果表明,在-55℃~150℃范围内,电源电压1.8V情况下,输出基准电压的温度系数可达8.2ppm/℃,且中/高频段的电源抑制比得到大幅度提高,直流段电源抑制比更可达-90dB。     

一种小型的高压毫微秒脉冲发生器及其应用

本文讨论了一种小型的高压毫微秒脉冲装置。该装置可以产生幅值120kV,上升前沿陡度大于5kV/ns、脉宽100ns 的高压脉冲,并已被用作REB 加速器的触发源、高压EMP 模拟器的脉冲源和研究介质击穿特性的能源。