等离子体与高功率微波相互作用中电子分布特性

电子数密度是表征等离子体物理特性的一项重要因素,在等离子体与高功率微波的相互作用中,等离子体对入射电磁波的吸收、衰减和屏蔽等电磁特性可通过电子数密度的变化进行表征。基于等离子体流体近似研究方法,利用COMSOL软件求解等离子体中的波动方程、电子传递方程和重粒子传递方程,计算分析了等离子体与高功率微波相互作用中的电子分布特性,重点分析了相互作用中平均电子数密度和平均电子能的数值和空间分布变化过程。研究表明,在高功率微波作用下,等离子体区域电子数密度在数值上会产生剧烈的阶跃变化,形成雪崩效应,在空间分布上电子数密度峰值产生趋于入射方向移动的变化;电子能的变化与入射波激励和电子数密度相关,随入射激励增加呈增长趋势,随电子数密度的增加而减小。     

并联放电等离子体合成射流激励器工作特性

等离子体合成射流激励器凭借射流速度高、工作频带宽、响应迅速等优势在高速流场主动流动控制领域具有良好的应用前景。为了克服单个激励器控制能力弱、控制范围窄的缺点,开展了并联放电等离子体合成射流激励器的研究,搭建了最多支持三路并联放电的微秒脉冲电源。测试结果表明,电源在空载及负载条件下可以实现1000 Hz稳定放电。随着放电电容的增大,放电电能的提高,等离子体电弧的温度升高,激励器腔体内气体被加热得更剧烈,产生的射流速度增大。随着工作频率的提高,激励器的击穿电压降低,放电电能减小,射流速度减小。通过对触发信号的调制,可以实现每个激励器的独立控制,使得并联式激励器具有更强的流动控制灵活性。试验结果显示,激励器工作相位与触发相位具有较好的对应关系。     

核电磁脉冲模拟器的电场特性及等离子体阵列的防护性能

强电磁脉冲通过电子设备表面耦合进入内部将产生显著的破坏作用,而等离子体作为一种特殊的电磁介质,具有屏蔽强电磁脉冲的能力,因此基于等离子体的强电磁脉冲防护研究具有重要意义。利用CST软件仿真分析了核电磁脉冲模拟器工作空间的电场分布。进行了核电磁脉冲对单片机的干扰和破坏效应辐照研究,得到了其对MF-51-1型单片机的干扰和破坏阈值分别在10 kV/m和18 kV/m左右。实验研究了单层等离子体阵列对核电磁脉冲的防护性能,能量衰减均在10 dB以上。实验结果表明,等离子体具有强电磁脉冲防护的能力。     

导弹静电放电效应及其防护装置应用研究

静电防护是导弹研制的刚性要求.简述了导弹发生静电荷沉积的主要途径,介绍了导弹静电放电的3种典型形式,基于相关典型试验和实测数据,分析了静电放电电流效应和静电放电电磁脉冲效应对导弹可感测辐射信号和系统信噪比的不同作用效能,研究了导弹安装静电放电器前后对安全性和功能性能的影响,介绍了静电放电器的典型应用方式,综合论证了导弹...     

磁化等离子体对电磁波反射系数的计算分析

为了从理论上分析磁化等离子体对飞行器隐身的机理,采用等效输入阻抗方法计算金属平板前非均匀磁化等离子体层对垂直入射电磁波的功率反射系数,结果表明:电子数密度大小、入射波频率、等离子体碰撞频率和外磁场是功率反射系数的主要影响因素.电子数密度、等离子体碰撞频率取值必须合适,外加磁场才能明显降低等离子体对入射电磁波的功率反射系数.     

多点源诱偏反辐射导弹的工作效果动态仿真

在系统分析反辐射导引头测向和跟踪机理基础上,基于导弹运行轨迹,对导弹从不同方位角、不同仰角攻击等功率非相参三点源、正三角形布站过程建立了准确实用的动态跟踪模型,基于该模型以HARM导弹为例对诱偏效果进行了动态仿真,分析了反辐射导弹攻击辐射源的规律,得到了雷达辐射源诱偏反辐射导弹实用的布站间距配置方案,所建模型和提出的方法具有普遍和实用性,对工程实践有一定的参考价值.     

同位素与辐射技术的产业化发展

2006年,是实施"十一五"规划的起步之年,核事业迎来又一个春天。同位素与辐射技术的产业化应用也取得了新进步。截止到2006年底,我国从事同辐技术研发与生产的单位约有300多家,从业人员约5万人。2006年底同辐产     

计算共形阵单元互耦的新方法

本文在比较直接积分法（DIM）和表面辐射图（SRP）法的基础上,提出了用修正表面辐射圈（MSRP）的新方法来计算任意形状曲面上波导辐射单元的互耦。通过对圆柱阵单元的计算表明,MSRP法既具有DIM法的准确性,又具有SRP法的简单件,同时能方便地处理任意指向（极化）单元的互耦问题。     

外军紫外告警技术的研究现状

介绍了各国对紫外告警技术的研究情况,详细列出了美国人Hall的测量数据和美国空军使用Plexus软件计算的数据,并由此得出不同作战距离的太阳光子数,供紫外告警设备设计参考。