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151.
在建立曲线合成孔径雷达回波信号稀疏表示模型的基础上,基于压缩感知采样矩阵设计的不相关原则,给出了曲线孔径优化设计的评价准则,并利用基于全局优化的基追踪方法实现了目标三维特征提取。仿真结果验证了孔径优化评价准则的正确性和基追踪方法在目标特征提取处理中的有效性。  相似文献   
152.
不同裂解温度对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能研究   总被引:3,自引:2,他引:1       下载免费PDF全文
以聚硅氧烷为先驱体,研究先驱体转化过程中在不同的裂解温度下对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能影响.结果表明,当裂解温度在700℃、800℃时,陶瓷基复合材料的弯曲强度分别为255.2 MPa、309.0 MPa;当裂解温度在1000℃时,陶瓷基复合材料的弯曲强度为45.3 MPa.对SiCf/Si-O-C复合材料的微观结构及载荷-位移曲线进行分析,发现界面结构是影响SiCf/Si-O-C复合材料性能的主要因素.  相似文献   
153.
Sosemanuk算法是欧洲eSTREAM计划最终获选的七个算法之一。从比特层面对该算法进行剖析,通过对Serpent1组件S盒、模232加法和线性反馈移位寄存器的研究,找到了关于内部状态的一个方程组,并利用Groebner基方法改进了对Sosemanuk算法基于字的猜测决定攻击。结果表明只需要猜测7个32比特的字就可以完全确定出其余5个32比特的内部状态,其攻击的复杂度为O(2192)。  相似文献   
154.
《中国军转民》2012,(10):80-80
1、关键技术参数或产品性能抗拉强度(TensileStrength)抗拉模量(TensileModulus)密度(Density)延伸度(Elongation)本产品为单位自有技术,目前处于规模化生产阶段。  相似文献   
155.
针对柔性热控薄膜材料导电/绝缘多层复合、微纳尺寸厚度的结构特点,采用10~70 KeV电子辐照的方法开展了kapton基二次表面镜薄膜材料充放电特性的测试试验,获得了表面充电电位、静电放电频次等关键参数,并采用蒙特卡罗方法研究了辐照电子在多层薄膜材料内的输运规律。研究结果表明由于kapton基二次表面镜薄膜结构的特殊性,当辐照电子能量为10 KeV时未发生静电放电现象,随着电子能量不断增加,薄膜材料的表面充电电位幅值与静电放电频次呈先上升后下降的变化规律,且在电子能量为25 KeV时空间充放电效应最为显著。  相似文献   
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