高速信号传输与PCB设计实现技术

高速数字系统的主题在不断提高,超大规模集成电路也在不断朝着集成度更高,芯片面积更小的方向发展,整机系统级工作频率及其互连速度就越来越成为高速数字系统实现设计期望的瓶颈。近年来,现代高性能微处理器的速度接近1GHz,芯片间传输速率也达到几百兆赫,并且还会再提高。与之相适应,出现了工作速度超过500MHz的SRAM,能直接与高速微处理器相连接工作,所以需要开发更高速度的信号传输方式,以及研究更高速度的低电平、低摆幅的接口电路技术。同时,超过100MHz以上的PCB板上的互连线(印制线)的电特性也随频率的变化而剧烈变化,因此必须关心高速数字信号板的信号完整性问题、关心噪声、反射、衰减、地线的抖动、接插件阻抗的变化和敏感信号线上其他形式的信号品质的下降等高速传输和互连设计实现问题。     

纳米TiO2光催化降解VX模拟剂DMAPT中金属离子和Fenton试剂的加速作用

以500W中压汞灯为光源研究了在助剂Ag^ ,Cu^2 ,Fe^3 ,H2O2,Fe^2 H2O2作用下,VX模拟剂乙酰甲胺磷（DMAPT）在TiO2悬浮液中的光催化降解。实验表明：上述5个因素都能够加速DMAPT的降解,但最强的因素是UV＋Fe^2 H2O2(UV Fenton试剂）,20min即可降解完全,而不加助剂20min只降解35％,此外。还初步探讨了Fenton试剂在光催化体系中的作用。这对今后研究VX的光催化消毒具有较高的参考价值。     

光催化氧化法消除水中化学毒剂

研究了纳米二氧化钛光催化氧化水中化学毒剂的中间产物、最终产物以及催化消毒效果,发现羟基自由基是光催化氧化消毒反应的活性种子基团,它可以切断毒剂分子中的所有化学键,生成多种中间产物,并将构成毒剂分子的每种元素最终氧化成相应的矿化产物,可实现染毒水的无污染彻底消毒。在实验条件下,纳米二氧化钛光催化反应可以较快的速度将HD、GD和VX染毒水消至安全浓度,反应的难易程度为HD＞GD＞VX。光催化氧化法是比较理想的水中化学毒剂的消毒方法。     

材料力学性能纳米压入测试仪器发展综述

综述了材料力学性能纳米压入测试仪器的发展现状。阐述了纳米压入测试技术的发展历程;从驱动、载荷测量和位移测量3方面对目前材料力学性能纳米压入测试仪器的基本结构进行了比较分析;介绍了材料力学性能纳米压入测试仪器集成技术,包括影响压入深度测量精度的集成技术、观测技术、大载荷模块和高温试验模块等;最后,对未来材料力学性能纳米压力测试仪器的发展趋势作了展望。     

电子鼻

以色列海法理工大学化学工程学院纳米技术研究所最近开发出一款可诊断癌症的仿生电子鼻。该电子鼻配备和狗的嗅觉器官类似的纳米传感器,对     

加拿大“哈利法克斯”级护卫舰

“哈利法克斯”的出现并不是加拿大的急需,而是北约的需求。加拿大所处的地理位置得天独厚,与美国同处一洲,关系一直保持得很好。战后成立北大西洋公约组织时,加拿大和美国同是初始成员国。     

纳米Fe_3O_4磁性流体的制备与测试

采用化学共沉淀法制备Fe_3O_4磁性纳米颗粒,用油酸作为分散剂制备出煤油基和二脂基磁性流体.用X射线荧光光谱仪(XRF)、X射线衍射(XRD)测试分析颗粒的组成、结构、平均粒径,表明所制备的颗粒为纯净Fe_3O_4纳米粒子,其平均粒径小于15 nm,分布均匀.用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、热重法(TGA) 和导数热重量(DTG)分析法对磁性流体进行性能测试,结果表明磁性流体进行性能稳定,煤油基磁性流体工作温度应低于88.6 ℃,二脂基磁性流体的应低于236.0 ℃.     

铁基非晶纳米晶涂层的耐磨性研究

采用基于机器人的自动化高速电弧喷涂技术在45钢基体上制备了FeCrBSiMnNbY非晶纳米晶涂层。研究了非晶纳米晶涂层在油润滑条件下,不同磨损时间、速度、载荷对涂层的磨损行为。采用扫描电镜（SEM）、能谱分析仪（EDAX）和X射线衍射仪（XRD）对涂层的组织结构进行了表征,利用纳米压痕仪对涂层的力学性能进行了分析,摩擦磨损试验在MM200滑块磨损试验机上进行。结果表明：涂层组织均匀,结构致密,主要由非晶相和α-Fe相纳米晶组成;在相同磨损试验条件下,非晶纳米晶涂层的相对耐磨性为3Cr13涂层的4．6倍,磨损机制主要为脆性疲劳剥落。     

从LPS馏分出发合成先驱体聚碳硅烷

采用将液态聚硅烷(LPS)蒸馏分级的方法,从各个馏分出发合成制备了先驱体聚碳硅烷(PCS)。运用GPC等分析测试手段考察比较了各个馏分的差异对在相同条件下所合成聚碳硅烷的分子量及其分子量分布特性的影响。研究表明:在同等条件下,采用以LPS蒸馏分级的方法再从各个馏分出发合成制备先驱体聚碳硅烷的总平均收率比未从经分级处理的LPS出发合成先驱体PCS的收率高35%左右;从200℃以下馏分出发可以合成制备超高分子量的先驱体PCS。