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111.
采用离子束辅助沉积法(IBAD)在单晶硅片上制备了Ti-Si-N纳米复合薄膜,研究了轰击能量大小对Ti-Si-N纳米复合薄膜生长及力学性能的影响,同时探讨了轰击能量对Ti-Si-N纳米复合薄膜的生长机理的影响.通过原子力显微镜(AFM)、纳米压入仪、光电子能谱(XPS)和X射线衍射分析(XRD)等现代分析技术,对Ti-Si-N纳米复合薄膜的晶粒大小、力学性能、成分与相结构进行综合表征分析.试验结果表明当轰击能量为700 eV时,Ti-Si-N薄膜晶粒直径达到了最小值11 nm,此时Ti-Si-N薄膜的硬度相对最高,为33 GPa. 相似文献
112.
113.
114.
介绍了俄罗斯舰载指控系统的发展历史,分析研究了俄罗斯新一代指控系统的体系结构。以俄罗斯某新型指控系统为案例,介绍了其硬件和软件功能设计思想。 相似文献
115.
以聚碳硅烷和锑改性聚硅烷为先驱体,利用先驱体转化SiC材料的富余自由碳高温石墨化的微观结构演变特点,采用热压烧结、先驱体浸渍—裂解法以及退火工艺制备出先驱体转化SiC纳米复合材料。采用SEM、TEM、XRD和Raman等测试手段表征和分析了相组成和微观结构,讨论了样品的热导率、电导率和塞贝克系数等热电参数随温度变化关系。研究表明,所得致密SiC纳米复合材料为n型热电材料。由于纳米石墨的作用,材料热导率抑制在4–8W/(m?K)范围。1600°C退火处理能够降低热导率,同时提高电导率和塞贝克系数绝对值,使先驱体转化法得到的SiC纳米复合材料无量纲热电优值ZT达到0.0028(650°C),高于其他已报道的致密SiC/C复合材料和纳米复合材料体系。 相似文献
116.
卢沟桥事变后日本发动全面侵华战争,以国共第二次合作为标志,中华儿女在亡国灭种的危险面前,捐弃前嫌,团结抗战.由国民党军第17路军改编的第4集团军作为陕西地方军队的主力,服从国民政府军事委员会的统一调遣,开赴中条山抗战.第4集团军将士背负家乡父老的期望,紧密团结晋南民众,采取正确的战略战术,对日作战取得了辉煌的战果. 相似文献
117.
C~3I 系统的需求描述语言 总被引:1,自引:1,他引:0
论述了理想的需求描述语言应具备的九个特性。同时对几种现有描述语言进行了初步的评估,对我国在这方面工作的开展提出了几点看法。 相似文献
118.
119.
本文首先探讨了演示验证的概念,接着介绍了演示验证技术的发展,重点讨论了演示论证的目的、要求与条件,并以航母C~3I系统的演示验证系统为对象,构想了其内容和系统组成,最后讨论了演示验证与系统仿真、原理样机的关系。 相似文献
120.
面向二十一世纪的C^3I系统环境 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从自动化指挥系统的发展过程入手,描述了21世纪C~3I系统技术特点,着重阐述了未来C~3I系统所处的对抗环境,硬件环境及技术环境。从而引伸出研制自动化指挥系统应解决的关键技术。 相似文献