提高微波功率放大器线性度研究

利用双栅场效应管的特性,对微波功率放大器进行预失真,以提高功率放大器的幅度,相位线性度,使放大器的效率和线性两项主要指标都有了很大的改进。     

微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性（高功率微波技术研究所专题组稿）

利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10 dB时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜（SEM）观测损伤后晶体管的微观特性,结果表明：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。     

蒙皮材料静电起电影响因素实验研究

为有效减小静电放电对飞行器的影响,设计蒙皮材料静电起电地面模拟实验平台．利用该平台对某型蒙皮材料进行静电起电实验研究,得到材料摩擦起电电位随时间的变化规律,并研究接触面积、相对速度、环境温度和相对湿度对材料静电起电电位最大值的影响,通过拟合曲线得到：相对湿度对静电起电电位的影响最大,相对速度次之,接触面积和环境温度对起电电位的影响相对较小．     

8～11 GHz 200 W GaN内匹配功率管

高输出功率氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)已广泛开发用于X波段雷达应用,为了应对雷达系统集成化与一体化发展对功率放大器宽频带、高功率工作能力的需求,基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺平台,研制了一款8.0～11.0 GHz宽带200 W内匹配功率管。该器件内部包含4只10.8 mmGaN HEMT管芯,通过L-C网络降低管芯虚部阻抗,并使用多级微带阻抗变换器进行宽带阻抗变换和功率分配/合成,实现宽带50Ω阻抗匹配。该器件在8.0～11.0 GHz频带内,于漏极电压40 V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率超过200 W,功率附加效率高于37.3%,功率增益大于8 dB,并在频带内获取了峰值输出功率263 W、最佳功率附加效率43.1%和最大功率增益9.2 dB,是X波段相关报道中,国内外首次实现在8.0～11.0 GHz频带范围内输出功率达到200 W以上。     

一种用于舰船电力网络绝缘监测的弱电流传感器的设计

结合舰船电力网络绝缘监测装置进行支路电阻测量与故障支路判断时的需要 ,设计了采集漏电流信号的大口径弱电流传感器 ,并给出了试验数据 .设计出的传感器已用于实际装置 ,试验运行状况良好     

不同网栅结构对MEFP成型影响的对比分析

为了研究不同形状网栅结构对形成的MEFP破片的影响,利用LS-DYNA动力有限元程序,采用Lagrangian方法,分别对十字形网栅切割式MEFP战斗部、星形线形网栅切割式MEFP战斗部、中心圆环形网栅切割式MEFP战斗部、井字形网栅切割式MEFP战斗部成型过程进行了数值模拟研究,并对影响各自破片成型及发散角的因素进行了分析研究。通过对不同方案网栅切割式MEFP速度及散布面积对比分析,结果表明:采用井字形网栅产生的破片集聚性优于十字形、星形线形和中心圆环形结构方案。     

船用电缆绝缘电阻自动检测精度的分析与研究

提出了一种实际的船用电缆绝缘电阻检测方案 ,包括信号变换电路和方案的硬件与软件结构 .分析了检测误差产生的主要原因 ,并提出了两种提高检测精度的措施     

磁绝缘传输线阴极准直建模与仿真

大型脉冲功率装置的磁绝缘传输线(Magnetically Insulated Transmission Line,MITL)阴极长度可达十余米,在悬臂结构下由于重力引起的末端挠度变形将达数厘米.如果不进行准直,由此造成的阴阳极间隙误差可能引起较明显的电流损失.借鉴HermesⅢ装置基于倾斜垫片的直线度调节方案,设计了用...     

叶栅吸力面吸气位置与角区分离的关联性分析北大核心

高压压气机后面级的叶片吸力面三维角区内易堆积大量的低能流体。为了指导吸气槽设计,达到量化分析叶栅吸力面吸气槽位置与角区分离的关联性的目的,以一高负荷压气机叶栅为研究对象,采用计算流体力学仿真软件讨论了全叶高吸气槽轴向位置变化对叶栅性能的影响,并以角区分离起始位置到叶栅前缘之间的距离(ZCS)作为量化标准。研究表明:在设计工况附近,总压损失随着吸气槽轴向位置从前向后移动表现出了先减小后增大的趋势,且叶片吸力面吸气槽在不同工况下存在最佳轴向位置。在0°迎角时,当吸气槽距离分离点间的轴向距离为0.33倍的ZCS时为最佳,可使总压损失系数降低10.9%。这种量化结果借助角区分离结构实现了吸气槽轴向位置设计的标准化指导。