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461.
二战结束后,苏联政体和武装力量组织结构经历了较大程度的改革,1946年2月25日第二届苏联最高苏维埃第一次会议决定在国防人民委员部、海军人民委员部的基础上建立了苏联武装力量部,3月2日决定将"苏联人民委员会"改称为"苏联部长会议",也就是一般意义上的苏联政府。1950年11月16日, 相似文献
462.
GM计数管能量响应的数值模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用蒙特卡罗(MC)方法,对一款GM计数管对γ的能量响应进行了模拟计算,计算结果与实验结果比较,能量响应曲线的变化趋势比较一致,说明该模拟计算方法应用在计数管的设计和应用中是可行的. 相似文献
463.
464.
电子设备的射频干扰效应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
首先应用有限元方法(FEM),研究了电磁脉冲信号通过孔缝进入电子设备的情况,并进一步计算了宽带电磁信号与机箱内板级微带电路耦合而产生的感应电流,最后使用非线性电路分析软件(PSpice)分析了电磁耦合能量对电子线路中的半导体器件所造成的射频干扰效应.此项研究为防空武器杀伤目标提供了一种新的杀伤机理,也对防空武器防止电磁杀伤提供了一种途径,对武器系统的研制有一定的指导意义. 相似文献
465.
二项分布贝叶斯假设检验方法 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了二项分布贝叶斯假设检验方法及其存在的问题,从贝叶斯决策分析出发推出了新的二项分布贝叶斯假设检验方法,基于实例证明了新方法对原方法有改进,新方法适于在武器装备靶场试验中推广应用. 相似文献
466.
激光防空武器杀伤概率 总被引:1,自引:0,他引:1
针对高功率防空激光武器的射击特性,运用概率论讨论了激光武器"光弹"的杀伤概率。将单发"光弹"杀伤目标作为一随机事件,按先后分"光弹"击中目标中心点和"光弹"击中目标后对目标的损伤程度两个相互独立的事件,分别用射击误差和目标坐标杀伤概率表示。建立了计算射击误差和目标坐标杀伤概率模型,得到了单发"光弹"的杀伤概率,进而得到了对同一目标连射n发"光弹"的杀伤概率,并根据激光能量饱和密度划分了对目标的杀伤效果,即硬杀伤、软杀伤和干扰,对激光武器研制提供理论参考。 相似文献
467.
针对常规跳频通信抗跟踪干扰能力差的问题,分析跟踪干扰原理,提出变速跳频通信。建立数学模型,在干扰容限、压制比和追踪概率方面进行理论分析,分析变速跳频通信抗跟踪干扰对误码率的性能,并用MATLAB进行仿真验证。 相似文献
468.
介绍了电子输运问题的蒙特卡罗方法的基本原理和步骤。电子输运过程的模拟采用了“浓缩历史”蒙特卡罗方法 ,电子随机游动步长根据能量步划分 ,在每个电子游动步内 ,电子的能量损失为非辐射 (碰撞 )能量损失和辐射 (韧致辐射 )能量损失之和 ,其中非辐射能量损失通过对Landau公式的随机抽样得到 ,辐射能量损失以及韧致辐射光子的产生通过利用Bethe Heitler的随机抽样处理 ,在每个电子游动步结束时电子的出射角的抽样利用Gouddsmit Saunderson多重散射公式 ,电子 -电子的散射利用Moller截面公式进行抽样。最后对电子在航天用合金铝平板材料中的输运进行了模拟计算并给出了计算结果 相似文献
469.
离子束加工(Ion Beam Figuring,IBF)去除函数对加工残差具有重要的影响,而加工残差引起的表面散射则导致光学性能发生变化.为了减小加工残差对光学性能的影响,利用基于CCOS成形原理的离子束加工仿真程序对光学镜面进行修形,分析不同去除函数宽度对散射损失(Ratio of Scattering Loss,RSL)指标的影响.通过研究可知,随着去除函数宽度的减小,加工残差对散射损失的影响越来越小.因此,根据加工残差对RSL指标的影响程度以及RSL指标要求,可以合理选择去除函数宽度,从而在满足面形精度的同时,优化加工工艺. 相似文献
470.
为使单电子晶体管达到实际应用的地步,开展室温条件下相关研究成为必然。从正统理论出发,推导、计算出室温条件下单电子晶体管能否正常工作的库仑岛临界尺寸:存储器件为6.5nm,逻辑器件为1.5nm;本文还推导和计算出单电子晶体管室温下发生能量量子化效应的临界尺寸:4.7nm,并对这3种临界尺寸进行了验证和分析。另外,通过比较分析本文还得出了室温条件下,所有逻辑器件均必须考虑能量量子化效应,所有存储器件应尽量考虑能量量子化效应的结论。分析结果表明,库仑岛临界尺寸的确定对单电子晶体管的实际应用具有重要意义。 相似文献