一种升压电源变压器的设计

针对一种装甲车辆用升压电源的成功研制,详细介绍了关键元器件--升压变压器的设计步骤及关键参数的计算.文章对升压变压器磁芯材料、磁芯结构、磁芯参数、线圈参数的选择作了详尽的论述,给出了升压变压器所需的合理结构和参数计算公式,通过试验验证了变压器设计的合理性和正确性,对其他类型开关电源变压器设计有一定的指导意义.     

基于DRFM的机载PD雷达干扰研究

针对传统干扰技术对PD雷达干扰的不足,噪声干扰对干扰机功率要求高,欺骗干扰产生的干扰数目单一,基于当前对抗先进体制雷达的手段——DRFM,对PD雷达干扰进行研究。通过将截获的雷达信号存储、处理,按程序设定的转发间隔重复读出当前采样信号并转发,产生了多个距离欺骗假目标;通过对每次转发干扰进行频率调制,产生了包含距离速度欺骗的一系列假目标;并经过Matable仿真验证了在PD雷达窄带滤波器中,出现多个距离或速度欺骗假目标。并通过仿真验证了干扰的有效性。     

基于弹道预测的脉冲修正弹末段控制方法

针对脉冲修正弹箭的控制方法问题,探讨了一种基于快速弹道预测的弹道末段控制方法.在一定假设下,对三自由度质点弹道方程组进行解析求解,得到一组精度较好的弹道诸元解析模型;基于该解析模型,提出一种通过估算剩余飞行时间进行快速弹道预测的方法;在此基础上,提出了适配的脉冲控制参数(脉冲作用方位、脉冲作用个数)的确定方法.以某脉冲修正弹为研究对象,采用Monte Carlo打靶法,在一组相同扰动源条件下分别对无控和有控弹道进行了数值仿真.仿真结果表明:该控制方法可有效提高脉冲修正弹的落点精度,有控落点圆概率误差比无控落点圆概率误差减小80％以上.     

正偏压对ZrCuN薄膜的组织结构与性能的影响

采用磁控溅射技术在钛合金和单晶硅上沉积ZrCuN薄膜,考查了正负脉冲偏压对薄膜微观结构和硬度、韧性的影响。采用场发射扫描电镜观察截面形貌,X射线光电子能谱（XPS）分析元素结合状态,X射线衍射（XRD）分析物相结构。采用纳米压入仪进行加载、卸载试验,分析了薄膜弹塑性变形特性;采用压入法定量比较了薄膜的断裂韧性。结果表明：正偏压不影响薄膜结构,其效果在于提高沉积速率约20%,改变等离子体内电荷状态,从而改变了薄膜的成分。向ZrN中添加少量Cu,抑制了柱状晶,薄膜结构由T区向II区转变;ZrN薄膜中加入Cu后硬度并未降低,而韧性得到很大改善。Cu在薄膜中以2种形式存在：一是替换固溶到ZrN晶粒中;二是以单质Cu存在于晶界。     

基于时空混沌系统和脉冲同步控制的加密系统设计

针对现有加密系统安全性不高的问题,设计了基于时空混沌的加密系统。在混沌同步加密系统的基本结构下研究了其中的发射器、接收器和同步控制方案的设计问题。设计了基于时空混沌系统Kuramoto-Sivashinsky的发射器和异结构接收器,给出了基于反馈控制和脉冲控制相结合且适用于保密通信传输的同步控制方案。结合图像加密设计了一整套加密系统,数值实验验证了算法的有效性,分析结果表明算法具有较高的安全性。     

一类非线性脉冲时滞抛物型偏微分方程组解的振动性

讨论了一类含脉冲的时滞抛物型方程组非零解的振动性,利用了Green定理以及Jensen不等式,得出了该方程在Robin边界条件下非零解振动的若干准则。     

脉冲轮廓建模仿真与去噪

脉冲轮廓是脉冲星的一个重要物理特性,是脉冲星导航的关键观测量。为深入研究脉冲轮廓的理论特性,建立了脉冲星的标准脉冲轮廓数学模型与观察脉冲轮廓数学模型,用指数函数拟合了蟹状星云脉冲轮廓的轮廓函数,并以此为基础模拟了蟹状星云的标准脉冲轮廓。通过模拟非齐次泊松随机打靶实验获得了光子到达时间的仿真测量值,模拟了蟹状星云的观察脉冲轮廓,仿真结果表明该模型能很好地描述巡天观测的脉冲轮廓。对含噪声的脉冲轮廓进行小波阈值去噪,通过数值分析,认为GCV阈值去噪方法对观测脉冲轮廓有很好的去噪效果。     

脉冲等离子体推力器羽流场数值分析

为掌握脉冲等离子体推力器的羽流特性,考虑磁场对等离子体羽流的影响,结合DSMC和PIC方法建立了粒子-流体混合模拟模型,以磁流体力学模拟提供入口条件对推力器羽流开展了三维数值研究,并通过朗缪尔三探针诊断对计算结果进行了验证。研究表明,羽流膨胀过程中各组分的动力学行为差异明显;放电电流振荡会导致产生低速离子群,并会加重离子回流;电磁加速是羽流等离子体主要的加速机制,磁场对推力器羽流的流动具有重要作用。     

水下无载波窄脉冲相关特征检测

广泛应用于超宽带雷达的无载波窄脉冲信号具有较高的距离和角度分辨率、超近程探测能力、便于目标识别、抑制混响起伏等独特优势.现将其应用于水下声纳系统,水下窄脉冲信号具有宽低频特性,从相关方法出发,讨论无载频窄脉冲对体目标信号的检测.根据窄脉冲信号脉宽内相关特征不变特性,体目标信号经过相关器和特征判决器,可明显减小虚峰出现的概率.数值模拟和实验均验证并证明单次检测即可检测到目标信号,精确检测峰值出现时间.     

微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性（高功率微波技术研究所专题组稿）

利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10 dB时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜（SEM）观测损伤后晶体管的微观特性,结果表明：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。