基于端口数据的系统级电磁兼容性分析

电磁兼容(EMC)分析和预测是EMC设计的最新阶段,其中系统级电磁兼容性分析是保证系统满足电磁兼容性的一个重要步骤.目前系统电磁兼容性分析主要是基于电磁屏蔽拓扑的分析方法,该方法应用于系统内电磁兼容性遇到一些困难.为了更清晰地分析系统内电磁兼容性,提出了基于端口数据的系统级电磁兼容性分析方法,该方法分析系统内各部件端口之间的耦合关系,画出耦合关系图,然后根据端口的干扰数据(测试、计算或标准规定的数据)和传递函数分析系统的电磁兼容性.     

膨胀波火炮膨胀波速度和行程的数值仿真

膨胀波火炮利用弹丸在膛内运行到一定位置时提前开闩的方法,实现了在不降低弹丸初速的前提下大幅度减小火炮后坐的目的。根据膨胀波火炮的工作原理,主要针对膨胀波火炮2种不同开闩方式分别进行讨论,着重对最新设计研制的双门式炮闩膨胀波火炮进行内弹道建模与仿真,并且计算膨胀波速度和行程,进而获得最佳开闩时机。     

20世纪上半叶苏军高级将领成长规律初探——以22名元帅为分析样本

20世纪上半叶，苏联军队涌现出一批能征善战的名将。选取22名苏军元帅为分析样本，从其家庭背景、岗位任职、教育培训、参战情况及功勋荣誉等角度综合考察，可以发现当时苏军高级将领成长的基本规律。诸如，绝大多数出身俄国社会底层，苦难生活启迪了政治觉悟；岗位轮换频繁，团一级主官和高级参谋等关键岗位锻炼的作用突出；高标准的指挥能力训练和高水平的中高级任职教育收效明显；长期、严酷的战争实践淬火成钢；鼓励创新、以上率下、崇尚荣誉的整体环境于潜移默化中起到了重要作用。     

侧窗探测下的姿态变结构控制

为解决导引头视场受到侧窗限制的问题,给出侧窗视场范围和拦截器姿态角之间的约束算法,并针对侧窗探测条件下弹体姿态控制的要求,用变结构控制方法实现姿态角的跟踪,并对抖振问题给予解决办法。在变结构控制器参数的选择上加入自适应参数选择环节,经过仿真,系统能够快速跟踪期望姿态角,跟踪的精度高。     

一种基于内插和抽取技术的样点序列延迟器

随着通信系统向数字化、软件化方向发展,在许多场合需要延迟非整数个样点周期的序列,本文介绍了一种基于内插和抽取技术的样点序列延迟器,给出了实现的具体方法以及应该考虑的有关问题。     

新疆石河子市内初班少数民族学生学校归属感现状调查研究

本文以石河子市内初班①1450名学生为研究对象,采用问卷调查法和访谈法,拟研究三个问题:(1)石河子市内初班学生学校归属感现状;(2)不同性别、年级和民族学生的学校归属感差异性研究;(3)学生的学校归属感与其学业成绩相关性研究.研究发现:(1)石河子市内初班学生的学校归属感水平处于较高水平;(2)内初班学生的学校归属感在学生性别、年级、民族方面存在显著差异;(3)学生的学校归属感与其学业成绩呈显著正相关.本文期望学校重视对于少数民族学生学校归属感的培养,以期培养身心健康、品学兼优的青少年.     

内初班学生领悟社会支持与友谊质量的关系:自尊的中介作用

[目的]探讨内初班学生自尊、领悟支持和友谊质量三者之间的关系.[方法]选用自尊量表、友谊质量量表及领悟社会支持量表调查了440名在校中学生.[结果]内初班学生友谊质量评分在性别(t=-1.99,P<0.05)与年级(F=8.10,P<0.01)上差异具有统计学意义;内初班学生自尊与友谊质量和领悟社会支持之间呈现显著正相关(r=0.33,P<0.01;r=0.37, <0.01),领悟社会支持与友谊质量(r=0.48,P<0.01)显著正相关;自尊起到部分中介作用,中介效应值为12.73%.[结论]领悟社会支持对内初班学生友谊质量的影响部分通过自尊中介作用实现.     

高官能度水性聚氨酯丙烯酸酯/纳米SiO2杂化材料的制备及性能

以聚己内酯二醇(PCL)、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、二羟甲基丙酸(DMPA)和季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)为原料,合成了高官能度水性聚氨酯丙烯酸酯WPUA。以WPUA为有机相,γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(TMSPM)改性纳米SiO2为无机相,制备了水性光固化有机/无机纳米杂化体系。通过傅立叶变换红外光谱对合成产物进行了表征,并对杂化薄膜的表面形貌、热稳定性、光固化动力学及力学性能进行了分析。结果表明合成了预期产物,杂化体系中改性纳米SiO2分散均匀稳定;随着SiO2含量的增加,材料的热稳定性、力学性能均有明显提高;不同SiO2条件下体系均保持了较高的光固化速率和最终凝胶含量。     

线性唯象传热规律下热机内可逆热经济学研究

对符合线性唯象传热规律(q∝Δ(T-1))的热机内可逆热经济学做了进一步研究,导出了在给定条件下Novikov热机的最优利润解析式,并得到了最优利润和相应的效率同其它参数间的关系.     

8～11 GHz 200 W GaN内匹配功率管

高输出功率氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)已广泛开发用于X波段雷达应用,为了应对雷达系统集成化与一体化发展对功率放大器宽频带、高功率工作能力的需求,基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺平台,研制了一款8.0～11.0 GHz宽带200 W内匹配功率管。该器件内部包含4只10.8 mmGaN HEMT管芯,通过L-C网络降低管芯虚部阻抗,并使用多级微带阻抗变换器进行宽带阻抗变换和功率分配/合成,实现宽带50Ω阻抗匹配。该器件在8.0～11.0 GHz频带内,于漏极电压40 V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率超过200 W,功率附加效率高于37.3%,功率增益大于8 dB,并在频带内获取了峰值输出功率263 W、最佳功率附加效率43.1%和最大功率增益9.2 dB,是X波段相关报道中,国内外首次实现在8.0～11.0 GHz频带范围内输出功率达到200 W以上。