首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   768篇
  免费   183篇
  国内免费   90篇
  1041篇
  2024年   9篇
  2023年   30篇
  2022年   24篇
  2021年   63篇
  2020年   47篇
  2019年   28篇
  2018年   7篇
  2017年   30篇
  2016年   50篇
  2015年   37篇
  2014年   55篇
  2013年   44篇
  2012年   70篇
  2011年   59篇
  2010年   62篇
  2009年   54篇
  2008年   48篇
  2007年   51篇
  2006年   40篇
  2005年   24篇
  2004年   18篇
  2003年   29篇
  2002年   30篇
  2001年   37篇
  2000年   12篇
  1999年   7篇
  1998年   14篇
  1997年   15篇
  1996年   8篇
  1995年   6篇
  1994年   6篇
  1993年   3篇
  1992年   4篇
  1991年   6篇
  1990年   10篇
  1989年   4篇
排序方式: 共有1041条查询结果,搜索用时 15 毫秒
421.
为了减少调制带宽、抑制带外杂散,通信系统中通常在发射端设置脉冲成形滤波器,而为了获得最大信噪比,在接收端通常使用匹配滤波器。以半带滤波器为基础,利用多级级联方法,设计了一种新型的脉冲成形滤波器,通过最小、最大相位分解方法,使得滤波器便于在实际通信系统中的使用。仿真结果表明,设计的成形滤波器与升余弦滚降滤波器相比,通带起伏小,硬件资源耗费少,在低信噪比时对不同调制方式均有额外的功率增益。  相似文献   
422.
首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。  相似文献   
423.
本文以基本的矩阵代数为工具,对于多维AR模型推导了梯格滤波的一般公式。在此基础上,可方便地得到在不同数据窗下(如预加窗、协方差窗和滑动窗)的实现算法。  相似文献   
424.
针对高动态环境下飞行器组合导航系统因不确定故障导致导航精度下降的问题,提出了一种基于矢量信息分配的容错联邦滤波算法。设计矢量形式的故障检测函数,对各观测量进行单独的故障程度划分,克服了将故障子系统所有观测量同时隔离的缺陷;根据观测量是否异常,重构时变量测噪声矩阵和信息分配矢量系数,对子滤波器的状态变量进行信息分配,在隔离故障子系统异常观测量的同时,最大限度地利用正确观测信息。仿真结果表明,采用该算法能够充分发挥各导航子系统的优势,极大提高了导航子系统信息利用率,具有较高的精确性和容错性。  相似文献   
425.
多UCAV协同控制中的任务分配模型及算法   总被引:12,自引:2,他引:12       下载免费PDF全文
任务分配是多UCAV协同控制的核心和有效保证。分析了影响目标价值毁伤、UCAV损耗、任务消耗时间等三项关键战技指标的因素,综合考虑实战中多UCAV同时攻击同一目标和使用软杀伤武器这两种典型情况对UCAV执行任务的影响,建立了针对攻击任务的多UCAV协同任务分配模型,并应用粒子群算法求解。仿真结果验证了模型的合理性和算法的有效性。  相似文献   
426.
非线性系统中的机动目标跟踪算法   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
对于非线性系统中的机动目标跟踪问题 ,首先针对“当前”统计模型的缺陷提出了一种修正算法 ,然后应用转换测量Kalman滤波算法进行跟踪。仿真结果表明在非线性观测条件下 ,算法明显提高了对弱机动和非机动目标的跟踪性能 ,同时保持了对强机动目标的高性能跟踪  相似文献   
427.
基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电路中传播的SET(Single Event Transient)脉冲宽度。对于最佳工艺拐角,离子轰击后收集的电荷量可以降低约38%,而在最坏工艺拐角下,收集的电荷量则会增加79%。这些结论对FinFET工艺下的SET减缓及抗辐射加固设计提供了一种新的思路。  相似文献   
428.
根据引信保险机构系统特性分析,选择驻极体传声器作传感器,从而获得引信保险机构的状态信号。经多级高、低通滤波和放大后,由单片机和标准判据进行比较,完成引信保险机构的状态检测。  相似文献   
429.
本文分析介绍利用冲量定量和机械能守恒定律推导α粒子的库仑散射公式的两种简单方法。  相似文献   
430.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号