全文获取类型
收费全文 | 1769篇 |
免费 | 194篇 |
国内免费 | 82篇 |
专业分类
2045篇 |
出版年
2024年 | 8篇 |
2023年 | 41篇 |
2022年 | 37篇 |
2021年 | 63篇 |
2020年 | 59篇 |
2019年 | 29篇 |
2018年 | 15篇 |
2017年 | 33篇 |
2016年 | 30篇 |
2015年 | 50篇 |
2014年 | 106篇 |
2013年 | 87篇 |
2012年 | 126篇 |
2011年 | 112篇 |
2010年 | 122篇 |
2009年 | 85篇 |
2008年 | 109篇 |
2007年 | 110篇 |
2006年 | 93篇 |
2005年 | 120篇 |
2004年 | 113篇 |
2003年 | 87篇 |
2002年 | 88篇 |
2001年 | 77篇 |
2000年 | 38篇 |
1999年 | 41篇 |
1998年 | 33篇 |
1997年 | 27篇 |
1996年 | 27篇 |
1995年 | 17篇 |
1994年 | 16篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 16篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 5篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 4篇 |
排序方式: 共有2045条查询结果,搜索用时 0 毫秒
351.
为研究装药命中角对防护结构口部爆炸毁伤的影响规律,对直墙拱结构进行了一系列爆炸模拟分析,得到了直墙拱结构拱顶、拱脚和直墙底3个位置的爆炸应力和位移时程曲线。通过分析这3个位置的应力峰值和位移峰值,发现随着装药命中角的增大,拱顶处竖直方向荷载减小,而拱脚处水平方向荷载增大;随着装药命中角的增大,拱顶处竖直方向位移变形减小,而拱脚处水平方向位移变形增大。模拟分析得到的命中角对防护结构口部爆炸毁伤的影响规律,可供防护工程设计时参考。 相似文献
352.
353.
古代中国未实行扩张战略的经济解释 总被引:1,自引:0,他引:1
古代中国在实力堪你超级大国的情况下却很少走对外扩张和殖民道路,其根本原因在于经济。由于以农为主的经济结构、运输成本高、人口与土地的相对价格等原因才导致如此结果。 相似文献
354.
提出了具有电介质衬套的多波切仑柯夫振荡器的概念,并采用粒子模拟方法对之进行了研究。结果表明:电介质衬套能使器件在较低二极管电压下正常工作,同时,在低电压区的辐射效率明显提高。这对开发多波切仑柯夫振荡器在爆磁压缩产生高功率微波等领域的应用具有参考价值。研究还发现:微波频率随电介质的介电常数增大而单调下移,电介质的介电常数及导引磁场的强度均具有最佳值。 相似文献
355.
卫星工程中广泛采用的有效载荷支架结构可能会与卫星主体结构发生动力耦合,进而造成有效载荷响应显著放大。进一步将有效载荷支架与卫星主体结构考虑为一个整体系统(称为星架系统)。采用有限元方法建立某型卫星系统级动力学分析模型,从中提取结构参数建立集中参数模型,并针对结构参数进行单变量影响分析。结果表明:所建集中参数模型能够反映支架结构与卫星主体结构之间动力耦合规律,载荷响应对两者频率参数的敏感程度远高于其阻尼和质量参数,卫星结构设计阶段应重点考量主体结构和支架结构频率关系以优化卫星载荷的动力学环境。 相似文献
356.
提出一种电磁带隙结构交错排列的单脊波导缝隙相控阵天线,并与相同尺寸的普通单脊波导缝隙相控阵天线作比较。测试结果表明该天线的方向图得到了明显的改善,单元之间的耦合系数减小,背瓣的辐射电平显著降低,扫描特性得到了改善;同时也说明了电磁带隙结构可以取得比扼流槽更好的抑制表面波的效果。这对于提高单脊波导缝隙相控阵天线的辐射性能具有重要意义。 相似文献
357.
介绍仿真机和仿真软件的发展,分析了银河仿真机系统性能,探讨了仿真机的未来发展特征。 相似文献
358.
发展了可用于模拟包含运动边界的非定常流动的数值方法。该方法采用非结构动网格技术并构造了一种MUSCL类型有限体积格式,求解考虑了动网格效应的三维非定常Euler方程。非结构网格的变形运动由弹簧近似技术实现。用上述方法计算了作正弦振动的矩形机翼非线性绕流,计算结果与实验结果吻合,得到了流体运动与固体运动耦合的非线性流动特性。计算表明,该数值方法具有较好的精度和可靠性,完全可用于气动弹性或其他流固耦合问题的数值模拟。 相似文献
359.
本文从非定常全NS方程出发,运用时间推进方法,采用有限体积方法离散控制方程,模拟了轴对称钝锥尾喷流场与外流场的干扰,得到了随时间发展的精细的流场拓扑结构,并对几种出口压力比的不同情况进行了比较和分析。 相似文献
360.
采用反应法在C/SiC复合材料表面制备SiC致密涂层,利用XRD分析涂层的组分及晶体结构,利用扫描电镜及金相显微镜观察涂层的断口及表面形貌,并对涂层形成过程进行了分析。结果显示:涂层主要由SiC及少量的游离Si组成,致密不开裂的SiC涂层与C/SiC复合坯体之间有很好的梯度过渡结构;相反,涂层与坯体之间如果没有形成过渡层,涂层会因热残余应力过大而开裂;反应法制备不开裂SiC涂层与CVDSiC涂层有很好的热匹配性,同时在其表面制备的CVDSiC涂层无点缺陷。 相似文献