壳体材料对地磁传感器测量弹体转速的影响

为消除弹丸壳体材料对地磁传感器测量弹体转速时采集数据的影响,分析了地磁传感器测量弹体转速的原理和数据采集电路的组成.采用铝壳材料和钢壳材料作为弹丸壳体进行数据采集,通过对采集数据的分析,获得了铝壳材料和钢壳材料对采集数据的影响参数.     

弹药弹体尺寸自动测量系统

在对某系列特种弹药的弹体结构尺寸分析和归类的基础上,详细阐述了弹体几何尺寸的测量原理,并结合工厂的实际,采用激光位移传感器和计算机自动控制技术,实现了弹体的关键尺寸的数字化测量与评价。实际应用表明该系统可以有效地提高弹体尺寸的测量精度并定量评价弹体的尺寸误差,内外径和同轴度的测量精度可达10μm以内,外长的测量精度可达100μm以内,能有效地指导加工的工艺流程和加工的尺寸精度控制。     

超宽谱电磁脉冲与无线电引信能量耦合因素的研究

通过超宽谱对配用不同弹体的无线电引信的辐照,分析了不同弹体以及配用某种弹体的引信不同放置方向对超宽谱电磁脉冲与无线电引信能量耦合的影响,并分析了弹体大小对能量耦合的影响。通过辐照、分析和计算最终得出:弹体是影响能量耦合的主要因素。弹体口径越大,超宽谱电磁脉冲与无线电引信的耦合能量越大。另外,配用弹体引信的不同放置方向也是影响能量耦合的重要因素;配用弹体的引信竖直放置时,超宽谱电磁脉冲与无线电引信的耦合能量最大。     

韩国“仁川”级护卫舰

2012年4月2日,"仁川"级护卫舰首舰"仁川"号正式加入韩国海军服役,该级舰是韩国新一代护卫舰,具备较强的对海、防空和反潜作战能力。韩国海军计划在2020年前建造20艘"仁川"级护卫舰,用以替换高龄的"蔚山"级和"浦项"级护卫舰,将有效提升其近海作战能力。     

意大利“智慧女神”级护卫舰

智慧女神级护卫舰是意大利于20世纪80年代设计建造的以防空为主的舰艇,主要用于近海作战、专属经济区保护和指挥训练。前后共建造2批,每批4艘,该级舰均以神话人物命名。     

磁流体动力学控制二维扩压器流场数值模拟研究

对常规扩压器进行了简介并作机理分析.用小磁雷诺数假设下基于Favre质量平均的全Navier-Stokes方程来求解外加电磁场的超声速扩压器流场.与常规扩压器比较可以发现,选用适当的外加电磁场组合可以使流动在更短的距离内实现减速扩压,并将部分动能转化为电能.研究表明:仅添加一定外磁场时,第一道激波位置、第二道激波位置、激波串长度分别为无外加电磁场情况的62.19%,77.74%和50.18%.     

考虑飞行器RCS分布的航迹规划

提出飞行器根据自身RCS分布特征,在雷达威胁完全覆盖防区时进行突防的三维航迹规划方法.将飞行器在三维空间中的运动分解为水平平面和垂直平面内的运动,简化飞行器RCS分布特征为蝴蝶结形分布,根据雷达探测目标信噪比大小提出多威胁情况下快速判断最具威胁雷达的方法,采用启发式A*算法得到突防航迹.最后对比分析采用固定RCS和分布RCS的飞行器所得突防航迹,结果表明采用分布RCS的航迹安全性更高.     

轨控直接力/气动力复合控制拦截弹的自动驾驶仪设计

设计了一种轨控直接力/气动力复合控制拦截弹的自动驾驶仪.空气动力控制部分采用三回路自动驾驶仪,轨控直接力部分分别采用了2种不同的控制方式.仿真结果表明2种轨控方式都能够大幅减小脱靶量,为动能拦截提供了可能.第1种轨控方式的效果是迅速减小弹体响应时间,但是要求轨控发动机推力连续可调;第2种轨控方式可以大幅减小过载指令的需求,要求轨控发动机能够提供需要的定值推力.     

横向运动板对长杆弹变形及运动影响的数值研究

利用Ls—DYNA软件对钨合金长杆弹垂直侵彻单层和双层横向运动钢板进行了数值计算。通过分析长杆弹的塑性变形、速度降、动能降和横向速度,得到了单层和双层板横向运动速度与影响长杆弹侵彻能力因素的关系。仿真结果表明：随着运动板速度的增加,运动板对长杆弹的侵蚀加剧,长杆弹的速度降、动能降增大;运动板相同速度下,虽然单层板的冲击能使长杆弹获得较大横向速度,但双层板比单层板对长杆弹的干扰效果更明显。     

65纳米工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估

首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。