环境因素对枝孢霉菌生长特性的影响

考察了温度、pH、Fe3+质量浓度等主要环境因素对喷气燃料中特征微生物——枝孢霉菌生长的影响,为喷气燃料中枝孢霉菌的防治提供科学指导。在500 nm波长处,测定了不同浓度枝孢霉菌菌液的OD值,得出其浓度与OD值线性相关,且相关性大于99%。经生长特性试验,表明枝孢霉菌在24~40℃生命力较强,在32℃生长最为旺盛,低温和高温枝孢霉菌几乎停滞生长,高温对真菌的抑制作用更加明显;p H为3~11,随着pH增大,生长速度先加快随后减慢,最适宜生长的p H为9;Fe3+质量浓度为0~200 mg/L,随着Fe3+质量浓度增大,枝孢霉菌生长趋于旺盛,即Fe3+能促进枝孢霉菌的生长。所以,监测和控制储罐中温度和pH,减少储罐和管道腐蚀,是预防和控制喷气燃料中枝孢霉菌污染的有效措施。     

针对SCPS-NP的协议分析方法

描述了卫星通信协议中网络层协议SCPS-NP的基本结构,阐述了BM算法与ID3算法原理,提出了一种新的针对空间传输协议的有效分析方法———NP-BM-ID3算法,并通过仿真实验进行验证。实验结果表明：通过将原有的数据集分类,该算法不仅有效地解决了模式串长度不足问题,而且减少了规则总数,在条件属性数量不变的情况下降低了运算复杂度。     

基于WindowsCE的嵌入式漏磁检测仪ADC驱动程序设计

描述了基于WindowsCE的嵌入式漏磁检测仪总体结构设计,介绍了WindowsCE下设备驱动程序模型,并结合$3C2440A处理器的ADC驱动程序设计,详细阐述了基于Windows的流接口驱动程序的设计方法。实验结果表明：利用该方法设计的ADC驱动程序高效可靠,可以为开发类似设备驱动程序提供参考。     

热处理对掺杂WO3的ITO薄膜性能的影响

用磁控溅射镀膜方法,制备掺杂WO3的ITO(xWO3-ITO)薄膜,经过热处理后对掺杂薄膜的表面形貌、吸收和透射光谱、面电阻等性能进行了测试.结果表明:适当的热处理能够提高xWO3-ITO薄膜在可见光范围内的透过率和在波长为228 nm处的吸光度.同时,该薄膜热处理后的方块电阻明显降低,导电性能得到明显提高.     

C3I模拟系统目标数据处理的实现

海军岸基指挥自动化模拟系统中,目标数据录取及数据综合处理是非常重要的两个模块。本文介绍了在该模拟系统中这两个模块的仿真实现。首先简要介绍系统结构组成、信息流程,及目标数据录取和数据综合处理模块的基本功能;并着重介绍其软件流程,实现的关键技术;最后介绍其仿真实现。     

C3I系统仿真模型自动生成方法

根据活动模型在C3I系统中应用的广泛性、仿真模型生成的困难性,以及二者之间的相似性,提出一种间接生成Petri网仿真模型的方法,即首先建立活动模型,然后在此基础上生成可执行Petri网模型,从而简化仿真模型的建立过程.还简要介绍二者之间的转换规则,并给出应用实例.     

太阳辐射作用下的飞机表面温场分布实验研究

提出一种通过缩比模型测试飞机在太阳辐射作用下的表面温度场分布,进而通过有限元方法实现太阳辐射温场的三维模拟显示的实验方法.该方法避免了外场测试条件中自然日光辐射强度不可控和环境温度变化的影响,为飞机在太阳辐射作用下的表面温场理论模型验证和实测提供一种有效的方法,对飞机红外特性、日历寿命等研究具有借鉴意义.     

无约束自由体有限元分析中的准静态法

在对某水下无约束航行体进行有限元静力分析的时候,由于无法限定结构的自由度而使刚度矩阵奇异,从而导致求解失败。为了解决这一问题,采用强迫约束法和准静态法(惯性释放)对此航行体进行了有限元静力对比计算,结果表明:用强迫约束法对水下航行体进行静力分析时,在施加强迫约束的部位出现了严重的应力集中现象,应力最大值为1.25×106Pa,应力集中使得整个结构的应力分布与实验数据相差较大,可认为计算结果错误;采用惯性释放法对其进行静力分析时,应力最大值为3.27×105Pa,整个结构的应力分布合理,与实验数据一致,计算结果正确。     

基于高度图的地形纹理生成方法

介绍了利用高度图生成地形纹理图的方法。阐述了多个特征纹理图融合的方法,根据高度值计算地形纹理图各像素RGB值的过程和遍历图的方法和技巧,并介绍了在高度图中确定顶点高度值的方法。利用此方法,可以按照自己的需求制作地形纹理图,为三维地形可视化研究提供了参考。     

ITO及WO3在电解液中的交流阻抗特性

采用表面过程法拉第阻纳表达式方法与等效电路方法,研究透明ITO平面电极及带WO3薄膜层的ITO平面电极处于1 mol LiClO4丙烯碳酸酯电解液中的电化学阻抗谱.分析显示WO3薄膜层有效地阻止了表面吸附参量对ITO电极反应的影响,使电极反应仅受电极电位的影响,并且随WO3薄膜在电解液中浸泡时间的增加,WO3薄膜的常相位角元件的特性最终回归为电容效应.