纳米Si-C-N粒子增强Si3N4 复合材料的结构与性能

本文用Ｓｉ－Ｃ－Ｎ纳米微粉做增强相,Ｓｉ３Ｎ４微粉为基相,采用热压的方法制备了ＳｉＣｐ／Ｓｉ３Ｎ４纳米复相陶瓷,所得的ＳｉＣｐ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料的室温弯曲强度为８７８．５ＭＰａ,断裂韧性达１１．９６ＭＰａｍ１／２,同时应用扫描电镜（ＳＥＭ）、高分辨透射电镜（ＨＲＴＥＭ）对其结构进行了观察,讨论了结构与性能之间的关系。     

一种开放式视频管理框架

对视频进行有效管理的依据是其“内容”。视频具有多模态性,其内容也具有层次性,可用三维模型来描述视频内容。据此,提出了一种开放式视频管理框架。在该框架中,视频中的各层内容与视频数据相对独立地存储与管理,用关联机制建立起视频数据与内容的联系。通过这种机制,能够形成视频数据与内容之间的多种逻辑描述,适用于对多种视频的管理,并且可以对视频进行“多模态查询”。     

基于梯度直方图的交叉点检测方法

提出基于梯度直方图的交叉点检测方法:统计像素点邻域梯度信息生成特征描述子,通过判定准则筛选候选交叉点,基于欧氏距离对候选交叉点进行聚类后,利用灰度加权法定位图像交叉点坐标.仿真实验验证了算法的正确性与可行性,结果表明:该方法适用于交叉角为65°～90°范围内的交叉点检测,定位精度优于0.6像素,检测率大于90％;该方法...     

基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试算法研究与实现

基于3D-IC技术实现的3D SRAM,其电路中使用了大量的TSV。目前TSV制造工艺尚未成熟,使得TSV容易出现开路或短路故障,从而给3D SRAM的测试带来新的挑战。现有的2D BIST测试方式能够探测到3D SRAM中存在的故障,但并不能判定是TSV故障还是存储器本身故障;TSV专用测试电路虽然能够探测出TSV的故障,但需要特定的测试电路来实现,这就增加了额外的面积开销,同时加大了电路设计复杂度。基于此,本文提出了一种使用测试算法来探测TSV开路故障的方法,在不使用TSV专用测试电路且不增加额外面积开销的情况下通过BIST电路解决3D SRAM中TSV的开路故障检测问题。结果显示该TSV测试算法功能正确,能够准确探测到TSV的开路故障,并快速定位TSV的开路位置。     

直接挤出成型用环氧树脂的流变性及其可打印性

直接挤出成型制造适用于任何含或不含添加剂的膏状或凝胶状复合材料,对复合材料制造技术具有深远意义.通过探讨热固性环氧树脂的流变学行为与挤出成型特性,得出热固性环氧树脂在直接挤出成型制造应用中的通用性流变学参数.通过向复合材料中加入增稠剂,对其流变学行为进行设计.结果表明:在高剪切速率(50 s-1)和低剪切速率(0.01...