试件水灰比和胶砂比对混凝土硫酸盐侵蚀速度影响

通过大量试验,采用强度指标研究了试件水灰比和胶砂比对硫酸盐侵蚀速度的影响.结果表明:试件的水灰比越大,胶砂比越小,侵蚀速度越快;为了加快硫酸盐侵蚀速度,宜采用大水灰比、小胶砂比的试件.在各种条件下,硫酸钠侵蚀破坏的速度比硫酸镁侵蚀快.对硫酸钠型侵蚀,采用抗折抗蚀系数作为判定指标较为合理,而对硫酸镁型侵蚀,应该综合考虑抗折抗蚀系数和抗压抗蚀系数.     

防空旅指挥自动化系统Petri网决策组织结构

结合实战,在给出基本决策单元结构模型的基础上,依据战术原则建立了防空旅决策组织结构的Petri网表示模型,在决策单元的结构模型中信息处理分为四级:态势评估级(SA)、信息融合级(IF)、资源分配级(RA)、响应选择级(RS).就决策中同级决策组织结构分三种形式(集中式、分布式和混合式)进行了建模,并对三种形式进行了利弊分析,为防空旅C4ISR系统中决策组织结构的设计和分析提供了依据.     

农村经济结构调整的动力机制分析

农村经济结构调整是一系列因素共同作用的结果 ,引致这种调整的动力机制包括政策导向动力机制、市场需求动力机制、科技发展动力机制和国际竞争动力机制。这四大动力机制共同作用 ,使农村经济结构的调整朝着符合国内外需求、优质高效的目标发展。     

ATAM方法及其在C4ISR系统体系结构评价中的应用

ATAM(Architecture Tradeoff Analysis Method)方法是一种评价信息系统体系结构级设计的方法,它通过对诸如性能、可更改性、可靠性、安全性等多个质量属性的分析来确定体系结构设计中的折衷点,从而降低设计风险.介绍了ATAM方法的基本概念、步骤,并给出了该方法在C4ISR系统体系结构评价中的一个应用实例.     

碳化硼基3DMC材料抗弹性能的初步探讨

通过7.62穿甲燃烧弹的射击考核,分析了碳化硼基3DMC材料的抗弹性能,发现其综合抗弹性能优于等厚度的某型号装甲钢,并具有抗击连续打击的能力,认为该材料可以独立用于装甲防护。     

管道金属磁记忆检测技术现状分析及发展研究

针对管道无损检测问题,阐述了金属磁记忆效应的基本原理,与传统无损检测方式比较,归纳了磁记忆检测的基本特性。在磁记忆检测仪器研发现状的基础上,设计了新型管道磁记忆／漏磁综合检测仪。从检测机理、信号处理和缺陷识别3个方面对检测技术研究现状进行分析和总结。探讨了检测机理的局限性,提出管道磁记忆检测技术的研究新方向。     

硼介质／石墨水泥基材料电磁屏蔽性能实验研究

为增强水泥基材料的电磁屏蔽性能,通过混凝土骨料替换的方法,实验研究了碳化硼、硼砂及石墨组合对复合材料电磁屏蔽效能的影响规律。实验结果表明单纯的碳化硼或碳化硼一硼砂作为水泥基材料骨料时,样品电磁屏蔽性能提升有限,但在添加硼介质时引入适当比例的石墨能有效改善材料的电磁屏蔽性能;另外,硼砂的添加会造成样品明显的缓凝现象,并且会对石墨导电吸波机制产生负面影响。     

六轮月球车移动机构分析与综合

针对六轮月球车,对国内外空间探测机器人的移动机构的构型进行分析和综合,通过构型创新、构型组合等手段提出了125种新型六轮移动机构.进一步利用虚拟样机软件ADAMS12.0和控制仿真软件Matlab6.5平台,从方案创新、方案组装、方案优化三个层次对月球车机械系统和控制系统进行综合评价与优化,得到优化方案及其优化参数.选择了一种方案进行了分析和参数优化,并试制了物理样机,取得较好效果.     

低开销的软错误免疫寄存器设计

随着工艺尺寸的逐渐缩小,集成电路中由放射性粒子引起的软错误不断增加,在设计时必须考虑由软错误引起的可靠性问题.使用软错误免疫寄存器对电路敏感部分选择性加固是降低逻辑电路软错误率简单有效的方法.总结了常用的软错误免疫寄存器结构,并使用可靠性分析方法对8种寄存器进行量化研究和比较,得出双模时空冗余寄存器具有更高的可靠度;针对现有可靠寄存器开销较大的缺点,设计了一种基于时钟延时的动态主级时空双模冗余寄存器--DMTS-DR,不仅能很好地免疫自身的SEU,还能对前级组合逻辑的SET进行有效屏蔽.与其它可靠寄存器相比,DMTS-DR的面积和延时开销都有大幅降低,在可靠性、面积和速度间实现了较好的折中.     

化学气相沉积碳化硅超光滑抛光机理与表面粗糙度影响因素

为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了系统的试验研究.研究结果表明:化学气相沉积碳化硅的稳定抛光过程是磨粒对碳化硅表面的塑性域划痕过程;CVD SiC的晶粒不均匀与表面高点会降低晟终所能达到的表面质量;表面粗糙度在一定范围内随磨粒粒度增加呈近似线性增长,随抛光模硬度的增加而增长;抛光压强对表面粗糙度的影响规律与抛光模的变形行为相关,当抛光模处于弹性或弹塑性变形阶段时,表面粗糙度随抛光压强的增加呈小幅增长,而当抛光模包含塑性变形之后,表面粗糙度基本与抛光压强无关;此外,抛光速度和抛光液pH值对表面粗糙度的影响不大.研究结论为CVD SiC超光滑抛光的工艺参数优化选择提供了定量的试验依据.