超重力下燃烧合成Al2O3-ZrO2（4Y）共晶陶瓷的自挤压工艺研究

引入自挤压工艺辅助超重力下燃烧合成制备Al2O3-ZrO2（4Y）共晶复合陶瓷,可有效地消除陶瓷制品的缩孔、缩松组织等缺陷,陶瓷致密性得到明显提高,同时又有效地抑制陶瓷裂纹萌生。XRD分析显示共晶陶瓷由α-Al2O3,t-ZrO2及少量的m-ZrO2三相组成,且随自挤压力增大,陶瓷中可相变的t-ZrO2的体积分数增加。SEM观察发现陶瓷的显微组织中的棒状共晶团随自挤压力的增大而细化,体积分数增加,且分布其上的t-ZrO2纤维直径变小,共晶团组织边缘处的ZrO2枝晶逐渐转变为细小的球晶,共晶团边界组织厚度逐渐减小,从而使陶瓷力学性能得以提升。     

C3I/M&S互操作性研究

结合C3I/M&S互操作性的主要问题,总结了互操作性技术参考模型,在此基础上对C3I/M&S互操作性的数据模型及标准、接口标准进行了详细论述,介绍了北约C3I/SIM互操作性试验情况,并指出了未来C3I/M&S互操作性研究的发展趋势,对军队C3I系统和仿真系统的建设有一定的指导意义.     

炮兵雷达阵地选择仿真系统的设计与实现*

虚拟现实技术是20世纪末发展起来的一项涉及众多学科的高新应用技术,主要针对在MultiGen Creator和Vega软件平台下开发三维仿真系统。针对目前炮兵雷达阵地选择虚拟仿真的需求,设计了炮兵雷达阵地选择仿真训练系统,介绍了仿真系统的组成及功能模块,论述了二维数字地图生成与显示、三维场景生成与显示、视景仿真的实现等关键技术,最后给出了仿真效果图。结果表明了仿真系统的可行性和实用性,极大地提高了训练效率和训练水平。     

FeCl3-超滤工艺处理低温低浊水的试验研究

采用FeCl3-超滤工艺进行了处理实验室条件下低温低浊水的试验研究,考察了不同投加量的FeCl3对污染物的去除效果和超滤膜运行状况的影响。结果表明,FeCl3-超滤工艺处理低温低浊水的适宜投量为8mg／L,膜出水浊度小于0．2NTU,CODM。小于2．5mg／L,对CODMn和UV254的去除率分别为37．35％和51．66％,且超滤膜运行状况较为稳定。     

建立符合中国国情IETM规范的紧迫性

交互式电子技术手册的核心是数据共享和互操作,而技术规范是实现这些的关键。首先介绍了美国IETM军用规范和S1000D规范的主要概念和应用范围,并通过对规范支持的组织和国家范围、维护体制、技术基础、发展前景等方面的比较研究,给出建立符合我国国情IETM规范的措施。     

无线传感器网络移动节点三维测距解析定位

结合次声波的特点和性质,建立了适用于动态环境下的基于次声波和电磁波的非同步TDOA测距模型。同时,将精确的测距信息与历史位置信息结合起来,提出并推导了信标节点稀疏分布下的三维测距解析定位算法,并根据有限的定位时刻位置信息采用内插法恢复出节点随机运动轨迹图。仿真结果表明：该算法具有较好的鲁棒性,可实现分米级以下的定位精度。     

功能化离子液体的合成表征及其作为润滑剂的性质

通过两步法合成了含酯基官能团的咪唑类离子液体1-乙酸乙酯基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐,用核磁共振、红外光谱、元素分析对其进行了结构表征,证明了该合成方法的可靠性;对功能化离子液体的基本物化性质、熔点、热稳定性及其作为润滑剂的粘温性、蒸发损失、金属腐蚀性等进行了全面研究,并选择了含有相同烷基的1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐传统离子液体进行对比,发现官能团的引入,使传统烷基咪唑类离子液体展现出不同的特性,同时发现两种离子液体均对金属表面有较强的腐蚀作用,为进一步开展功能化离子液体的摩擦学研究打下了基础。     

水力旋流器湍流场数值模拟

应用CFD软件FLUENT对水力旋流器进行三维数值模拟,并对网格生成技术、湍流模型、离散方法及边界条件等问题进行了探讨。数值模拟所获得的轴截面上的压力场和速度分布规律与前人的研究结果基本吻合,验证了数值模拟的可行性。为进一步研究水力旋流器的结构优化和分离性能预测提供参考。     

基于3Dmax和OGRE的某型装备视景仿真研究*

某型装备视景仿真的研制对于提高教学质量和训练水平具有重要意义.提出了一种基于3Dmax和OGRE可视类的视景仿真方法,给出了视景仿真系统的总体结构和实现过程,解决了视景仿真过程中一些视点变换、角度控制、场景变化、面板仿真等关键的技术问题.     

65纳米工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估

首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。