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211.
针对离散傅立叶变换(DFT)对加速运动目标进行检测时的局限性,结合离散Chirp Fourier变换(DCFT)和弹载脉冲多普勒雷达信号检测的具体背景,提出了一种基于FFT的变尺度离散Chirp Fourier变换(B DCFT),分析了它的性能。将它应用于雷达信号检测的应用背景形成了一种对线性调频信号的级次检测算法。理论分析和仿真试验表明该算法在运算量和检测性能方面均有一定的优势。  相似文献   
212.
现代信息技术所引起的远程教育的变化是革命性的,由此产生了全新的现代网络大学.中国的普通高校、成人高校和广播电视大学都将参与进去,这是它们发展的新机会,也是新的挑战.我国教育的发展方式正由外延的数量扩张型转入内涵的规模质量型,整个教育系统以及远程教育的发展需要组织创新,而最重要的是加强教育合作.从教育改革、特别是课程改革的要求看,广播电大与普通高校的合作应以课程的开放管理为基础,建立具有融洽性、通用性、灵活性、整体性和可操作性的合作关系,目标是给求学者以充分选择的自由性和再选择的变通性.只有在这种开放课程的合作模式中,广播电大才有可能成为中国远程教育的主角之一.  相似文献   
213.
混合模糊逻辑方法就是利用模糊规则和对象输入输出的观测数据来辨识一个模糊逻辑系统。该方法对模糊规则和观测数据进行了预处理,给出系统模型的初始结构和参数。将该方法用于处理雷达/红外双模制导中对目标的跟踪问题。仿真表明该方法是有效的。  相似文献   
214.
在卫星导航定位系统中,多普勒频率偏移是影响接收机性能的关键因素之一。通过对地面卫星信号覆盖区内的多普勒频率偏移及不确定性范围的计算,给出了卫星导航系统信号的多普勒频率偏移与接收机位置之间的关系。对多普勒不确定范围做了定量分析,提出了压缩多普勒不确定范围的方法。  相似文献   
215.
根据近年来装备保障的实践和国外的发展,从装备作战使用的角度辨析了装备保障的定义,界定了其范围,重点提出了装备保障性目标总要求,阐述了其内涵和任务能力的关系,简述了其确定过程及关键技术,基于装备任务能力与装备执行任务能力对装备保障性进行了系统分析。  相似文献   
216.
为了确保复杂大系统仿真(LCSS)的可信性,应该在建模与仿真(M&S)的全生命周期中开展校核、验证与确认(VV&A)研究.对LCSS的VV&A进行了理论研究,提出其方法论与原则;以基于仿真组件构建的HLA仿真系统为例,从仿真组件层、联邦成员层及联邦层三个层面研究了VV&A过程,并将这些研究应用于反舰导弹突防联邦仿真中.实践表明,研究对LCSS的VV&A工作具有很好的指导作用,有力地保障了仿真的可信性.  相似文献   
217.
对雷达线性调频脉冲压缩信号进行分析以及仿真,在雷达信号模拟领域中是非常重要的.给出了常规调频脉冲压缩信号以及匹配滤波器模型及仿真结果,并在对某X波段雷达调频脉冲压缩信号处理特点研究的基础上,分析了距离分辨率对不同距离目标分辨的影响,并进行了仿真验证.  相似文献   
218.
针对师装备保障力量层次设置模式优选时缺乏定量分析的问题,尝试从系统信息论的角度,采用结构熵理论对师装备保障力量层次设置的组织结构有序度进行客观评价,用时效熵和质量熵分别对师装备保障力量层次设置组织结构中信息流通的时效性和质量性进行度量,为师装备保障力量层次设置模式的选择提供科学依据。  相似文献   
219.
针对电子侦察中使用常规参数难以有效识别复杂体制雷达信号的问题,提出利用深度限制波尔兹曼机对辐射源识别的模型。模型由多个限制波尔兹曼机组成,通过逐层自底向上无监督学习获得初始参数,并用后向传播算法对整个模型进行有监督的参数微调,利用Softmax进行分类识别。通过仿真实验表明该模型能对辐射源进行有效的特征提取和分类识别,具有较高的识别精度和较强的鲁棒性。  相似文献   
220.
以二乙烯基苯和聚硅氧烷为原料经先驱体转化法制备了Si-O-C材料,利用镁金属在惰性气氛保护下高温还原制备了多孔的Si/Si-O-C负极材料。Si/Si-O-C负极材料的首次放电与充电容量分别为547.2和450.7mAh?g-1,第二次放电与充电容量分别为487.4和422.9mAh?g-1,库伦效率分别为82.3%、86.8%,材料具有较好的循环性能。利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDX)、元素分析和场发射扫描电镜(FE-SEM)分析了多孔Si/Si-O-C负极材料的组成、结构、形貌,从而研究利用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料的机理。结果表明,镁金属在还原过程中生成MgO和Mg2SiO4等产物,经HCl洗涤后可形成多孔的Si/Si-O-C负极材料。Si/Si-O-C材料中的单质硅分布于多孔的Si-O-C相中,一定程度上可缓解Si在循环过程中产生的体积效应。利用镁金属还原Si-O-C材料制备多孔Si/Si-O-C材料是一种可行的制备方法。  相似文献   
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