无线传感器网络移动节点三维测距解析定位

结合次声波的特点和性质,建立了适用于动态环境下的基于次声波和电磁波的非同步TDOA测距模型。同时,将精确的测距信息与历史位置信息结合起来,提出并推导了信标节点稀疏分布下的三维测距解析定位算法,并根据有限的定位时刻位置信息采用内插法恢复出节点随机运动轨迹图。仿真结果表明：该算法具有较好的鲁棒性,可实现分米级以下的定位精度。     

超声导波检测对接焊缝缺陷试验研究

应用超声导波技术快速扫查的特点对预制缺陷的焊缝进行检测试验,运用导波的直线和旋转角度扫描方式分别对12mm厚V型与16mm厚X型坡口对接焊缝中4种不同类型的缺陷进行探测。所采用的多功能超声检测设备的声定位装置对斜探头和缺陷位置定位。试验表明,在一定的条件下激励导波,能检出不同缺陷的位置和大小,检测结果直观,对实际焊缝缺陷检测具有指导意义。     

舰载无人机双机无源侦察定位策略

针对驱护舰编队作战中使用舰载无人机进行双机无源侦察定位时,搜索力如何进行优化配置的问题,基于舰载无人机双机无源定位有效区分析模型,在对舰载无人机双机无源侦察定位策略选择依据分析的基础上,提出了舰载无人机双机定基线无源侦察定位策略和双机变基线无源侦察定位策略,并给出了三种实用的机动侦察定位方式。     

无源干扰对目标搜索雷达侦察效能影响的计算分析

为了提高目标搜索雷达在无源干扰条件下的侦察效能,以干扰箔条为例,在细致分析干扰作用机理的基础上,建立相应指标体系,分别计算了干扰箔条云与箔条压制性干扰对目标搜索雷达侦察效能的影响。研究结果对指导部队训练和进行电子干扰效能评估具有重要意义。     

内埋式导弹武器安全分离地面试验关键技术

内埋式机载导弹武器在发射过程中需经历复杂发射控制过程,为验证内埋弹射发射安全分离技术,提供了一种地面验证试验方法,给出了试验设计方案,将试验划分为综合对接与地面分离验证两部分,设计了综合对接试验系统,给出了导弹模拟装置原理及组成;设计了地面分离验证系统,讨论了内埋武器舱遮挡导弹遥测信号问题解决办法及试验数据录取方法,设计了试验验证序号流程,为内埋弹射导弹武器发射过程地面验证提供一种技术手段。     

横向扰动对超声速混合层被动标量混合影响分析

采用大涡模拟数值计算二维空间发展的超声速混合层,重点分析横向扰动对混合层的标量结构、标量厚度以及标量体积卷吸率的影响。采用理论模型验证了数值方法在计算标量混合特性方面的准确性。结果表明,横向扰动频率和振幅明显影响着混合层的标量增长率和卷吸率。高频扰动增大了混合层近场标量增长率和卷吸率,但是低频扰动改善了混合层远场标量增长率。大尺度涡卷吸过程对混合层标量卷吸率起决定作用。多频扰动有效地增强了超声速混合层的标量混合。     

65纳米工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估

首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。     

一种改进固定单站无源定位模型性能分析

针对固定单站无源定位中的DPFRC算法无法对目标辐射源速度进行直接解算的问题,将多普勒频率引入观测量之中,提出一种改进的固定单站无源定位模型,并通过卡尔曼滤波对定位结果进行平滑处理。将改进模型与原有模型及另外一种可对速度进行直接解算的DDFRC模型进行了仿真比较,对不同距离、不同采样间隔和不同观测精度下3种模型的性能进行了仿真分析。仿真结果表明,相比于另外两种定位模型,改进模型具有更为广泛的应用环境和更好的鲁棒性。     

基于方位角和多普勒的机动目标无源定位跟踪可观测条件

可观测性分析是无源定位与跟踪系统的前提和基础,只有满足可观测条件才能对系统进行正确求解。应用线性系统理论,以目标方位角和多普勒频率为观测量,对匀加速和匀转弯这两类最常见的机动目标进行了可观测分析,为进一步研究机动目标的无源定位与跟踪提供了理论前提。最后给出了仿真实例,验证了理论分析的正确性。     

面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应

研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示：GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。