三维化学非平衡粘性激波层流场数值模拟

本文通过引进主流贴体坐标 ,将粘性激波层概念推广到三维流场 ,得到了三维粘性激波层方程 ;应用空间推进与总体迭代相结合的求解方法 ,对三维化学非平衡粘性激波层流场进行了数值模拟     

化学物料泄漏的危害及安全处置中应注意的问题

化学物料泄漏具有引起火灾、爆炸事故,造成严重的毒害事故,污染、破坏生态环境等危害,其泄漏的原因有自然灾害、设备本身、人为及意外事故几方面,在处置化学物料泄漏事故应注意防止形成燃爆条件;严防毒害;防止冻伤;搞好现场监测等问题.     

抗磨添加剂与电弧喷涂耐磨涂层间的协同效应

研究了2种φ2mm粉芯丝材电弧喷涂Fe-Cr-Ni涂层和7Crl3涂层以及与2种典型润滑油抗磨添加剂的协同效应,并借助X光电子能谱(XPS)研究了其协同作用机理.结果表明DBP和ZDDP润滑油抗磨添加剂能明显地改善电弧喷涂Fe-Cr-Ni涂层和7Cr13涂层的抗磨性.添加剂DBP能显著地降低2种电弧喷涂涂层/GCr15摩擦副的摩擦系数,但ZDDP抗磨添加u剂的减摩效果不太显著.在含DBP和ZDDP添加剂油润滑条件下,涂层磨痕表面形成了摩擦化学反应膜.     

后勤保障指挥决策系统结构设计研究

军队后勤保障指挥决策系统是高技术局部战争后勤保障的中枢,科学合理构 建系统的结构是提高决策系统质量的关键,针对该系统大范围多领域的分布式特征,引入了 化学抽象机对系统结构进行形式化、规范化描述,可以清楚的反映系统的静态和动态特征, 对后勤"可视化"研究具有一定的指导意义。     

对生化恐怖袭击抢险救援的思考

消防部队担负着处置生化恐怖袭击事件的抢险救援任务。在分析生化灾害及处置生化灾害的特点的基础上 ,提出提高消防部队处置生化灾害综合能力的措施。     

光纤通信系统用减反膜的研究

针对WDM光纤通信系统对具有极高透过率的光学薄膜元件的需要,系统地研究了增透膜的设计与镀制.采用统计实验求总极值法和Powell最小二乘法相结合的多级优化方法编制程序,完成了以BK7玻璃为基底的增透膜的膜系设计,采用多种监控方法完成了此类非规整膜系的镀制实验.测试结果表明,采用变过正量极值法监控非规整膜系的镀制,可精确控制各层膜的光学厚度,获得在1550nm波段附近具有很高透过率的光学薄膜元件.     

高含硫气井井筒硫沉积的预测方法

近年川东气田的几口碳酸岩气井在开采过程中出现较为严重的硫沉积,有的甚至被硫堵塞停产,对这些气井的硫沉积进行精确的预测和有效的管理就显得至关重要.提出了一个新的解析模型,把硫的溶解度作为温度、压力及流态的函数,结合压力与温度的藕合,应用颗粒受力分析来预测含硫天然气开采中的气井井筒硫沉积,其预测结果与实际相符,可作为井下除硫处理、洗井作业、优化完井及开采速度等设计的基础.     

化学气相沉积碳化硅超光滑抛光机理与表面粗糙度影响因素

为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了系统的试验研究.研究结果表明:化学气相沉积碳化硅的稳定抛光过程是磨粒对碳化硅表面的塑性域划痕过程;CVD SiC的晶粒不均匀与表面高点会降低晟终所能达到的表面质量;表面粗糙度在一定范围内随磨粒粒度增加呈近似线性增长,随抛光模硬度的增加而增长;抛光压强对表面粗糙度的影响规律与抛光模的变形行为相关,当抛光模处于弹性或弹塑性变形阶段时,表面粗糙度随抛光压强的增加呈小幅增长,而当抛光模包含塑性变形之后,表面粗糙度基本与抛光压强无关;此外,抛光速度和抛光液pH值对表面粗糙度的影响不大.研究结论为CVD SiC超光滑抛光的工艺参数优化选择提供了定量的试验依据.     

基于主成分分析法的危险化学品事故统计分析方法研究

通过对2002~2007年危险化学品事故数据进行统计分析,运用主成分分析法（Princ ipal Component Analysis,PCA）计算得到危险化学品事故发生的第一主成分,进一步分析得出危险化学品事故主要发生在使用环节和生产环节。利用主成分分析法得出的结论,针对危险化学品在使用、生产环节采取得当的预防措施,可以为有效减少危险化学品事故的发生提供科学决策依据。     

3D SRAM中TSV开路测试算法研究与实现

基于三维集成电路技术实现的三维静态随机存储器,其电路中使用了大量的过硅通孔。目前过硅通孔制造工艺尚未成熟,使得过硅通孔容易出现开路或短路故障,从而给三维静态随机存储器的测试带来新的挑战。现有的过硅通孔专用测试方式虽然能够探测出过硅通孔的故障,但需要特定的测试电路来实现,这就增加了额外的面积开销,同时加大了电路设计的复杂度。因此,提出一种使用测试算法来探测过硅通孔开路故障的方法。在不增加额外面积开销的情况下,通过内建自测试电路解决三维静态随机存储器中过硅通孔的开路故障检测问题。结果显示,该过硅通孔测试算法功能正确,能够准确探测到过硅通孔的开路故障,并快速定位过硅通孔的开路位置。