全文获取类型
收费全文 | 325篇 |
免费 | 179篇 |
国内免费 | 39篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 15篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 6篇 |
2018年 | 11篇 |
2017年 | 26篇 |
2016年 | 32篇 |
2015年 | 19篇 |
2014年 | 35篇 |
2013年 | 29篇 |
2012年 | 24篇 |
2011年 | 35篇 |
2010年 | 25篇 |
2009年 | 24篇 |
2008年 | 22篇 |
2007年 | 31篇 |
2006年 | 24篇 |
2005年 | 14篇 |
2004年 | 18篇 |
2003年 | 12篇 |
2002年 | 12篇 |
2001年 | 14篇 |
2000年 | 19篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 7篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 12篇 |
1993年 | 13篇 |
1992年 | 9篇 |
1991年 | 7篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 3篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有543条查询结果,搜索用时 15 毫秒
191.
192.
黄秋浩 《中国人民武装警察部队学院学报》2010,(12):89-93
火灾事故会给受害人造成人身和财产损失,存在民事责任。探讨了火灾事故民事侵权责任,从法律的角度论述了火灾事故民事侵权责任的追究和赔偿,并从建立和完善损害赔偿专家证人制度及火灾保险制度提出了完善火灾民事赔偿制度的建议。 相似文献
193.
随着现代光学技术的发展,全频段误差控制已成为高精度光学零件制造的一个基本要求.基于小磨头抛光原理的先进修形技术虽然能有效修正低频面形误差,但对于中高频段的面形误差难以修正.中高频误差成为了现代光学加工普遍关注的难点.理论研究表明,减小小磨头尺寸可以提高工艺对中高频误差的修正能力,进一步提高光学加工精度.本文针对中高频面形误差的控制问题,开展细小离子束修形工艺研究,研究了获取小束径离子束的引束机理和引束结构,初步实现了稳定的细小离子束,针对某小型精密光学元件的具体加工问题,仿真研究了不同束径的加工效率和加工残差,并选择最优束径对元件进行了加工试验,使元件的精度从初始的0.111λrms减小到了0.015λrms(λ=632.8nm). 相似文献
194.
195.
196.
利用Ls—DYNA软件对钨合金长杆弹垂直侵彻单层和双层横向运动钢板进行了数值计算。通过分析长杆弹的塑性变形、速度降、动能降和横向速度,得到了单层和双层板横向运动速度与影响长杆弹侵彻能力因素的关系。仿真结果表明:随着运动板速度的增加,运动板对长杆弹的侵蚀加剧,长杆弹的速度降、动能降增大;运动板相同速度下,虽然单层板的冲击能使长杆弹获得较大横向速度,但双层板比单层板对长杆弹的干扰效果更明显。 相似文献
197.
金属磁记忆信号表征铁磁材料变形的基础研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为探索利用金属磁记忆技术进行再制造毛坯质量控制的方式方法,制作了18CrNiWA钢退火处理和调质处理的板状静载拉伸试件,在MTS810型液压饲服试验机上进行了拉伸试验,采用EMS2003金属磁记忆仪检测拉伸过程试件表面磁记忆信号变化,并利用OLYMPUSGX51观察了2种热处理状态的金相组织。研究结果表明:轴向拉伸载荷诱发试件产生磁有序状态,磁信号曲线在弹性和塑性变形阶段内呈现不同分布特征,磁曲线斜率Ks可以表征拉应力导致的变形程度;2种试件微观组织不同导致拉伸过程中呈现不同的力磁效应。 相似文献
198.
深入探讨油库人因安全事故发生的根原因,对油库人因安全事故的分析评估和油库人因安全事故进行定量化预测及隐患排查具有重要意义。基于认知可靠性和失误分析追溯方法建立了适用于油库人因安全事故根原因分析和追溯的失误模式及后果一前因追溯表,并应用于油库人因安全事故实例分析中,证明了该方法应用于油库人因安全事故根原因分析的实用性和有效性。 相似文献
199.
利用坐标变换得到射击诸元解算模型,根据得到的射击诸元解算模型的教学表达式,用隐函数微分法得到每个射击诸元影响因素的误差传递系数,利用精度分析模型建立射击诸元精度表达式.然后用均匀试验设计法确定典型射击条件,在这些典型射击条件下,计算各误差传递系数,根据给定的某组火控系统各设备的精度指标,进而计算火控系统各典型射击条件下的火控系统精度值,并确定合理的精度指标期望值.要获得这组火控系统各设备的精度指标下,任意指定射击条件下的系统精度值,利用已算出的各典型射击条件下的系统精度值,采用逐步回归分析方法,可获得火控系统各射击诸元参数的精度与各射击条件的函数关系近似表达式. 相似文献
200.
首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。 相似文献