含气膜孔涡轮叶片寿命可靠性设计优化中的网格参数化方法

为了自动实现含气膜孔涡轮叶片寿命的可靠性设计优化,减少其有限元计算时间成本,提出了含气膜孔涡轮叶片的非结构局部网格参数化方法.该网格参数化方法将叶片划分为参数化区域和非参数化区域,分别设计非参数化区域的网格以及参数化区域的网格控制点,更新气膜孔的形状和位置后,保持非参数化区域的网格不变,重构参数化区域的网格.相比于结构...     

实验条件对纳米多孔二氧化硅薄膜性能的影响

以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用酸/碱两步溶胶—凝胶法,结合旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了SiO2薄膜。XRD和AFM表明该SiO2薄膜为无定形态,具有多孔网络结构,表面均匀、平整,其SiO2粒子和孔隙的直径为30～40nm。利用椭偏仪测量了薄膜的厚度和折射率,薄膜的厚度为300～1100nm,折射率为1.13～1.23,孔隙率为50%～70%,介电常数为1.9～2.4。SiO2薄膜的厚度随溶剂异丙醇(IPA)用量的减少、催化剂NH4OH用量的增加、SiO2溶胶粘度的增大和旋转涂胶速度的降低而增大;介电常数随NH4OH用量和SiO2溶胶粘度的增加而降低,IPA用量和旋转速度对SiO2薄膜的介电常数影响较小。     

同轴环缝气流作用下锥形液膜线性稳定性分析

为了分析气液同轴离心式喷嘴的雾化机理,对同轴气体作用下的锥形液膜进行时间稳定性分析,推导同轴气体作用下锥形液膜的色散方程,建立离心式喷嘴出口参数预测模型,用于数值求解色散方程。结果表明：喷嘴出口液膜厚度随着喷注压降的增加而减小,喷雾锥角、液膜速度和轴向速度随着喷注压降的增加而增大。同轴气体作用下液膜由正弦模式的表面波主导,因为正弦模式的表面波增长率远大于曲张模式的表面波增长率。当环缝气体喷注速度较小时,增加气体速度会减小气液相对速度,从而减弱气液相互作用,使得液膜主导表面波增长率和频率减小、破碎时间和破碎长度增加。而当环缝气体速度超过一个临界值后,随着气体速度的增大,液膜主导表面波增长率和频率迅速增大,破碎时间和破碎长度迅速减小。     

聚乙烯/淀粉光-生物双降解薄膜的制备及力学性能

经过研究制备了聚乙烯/淀粉光-生物双降解薄膜,对其进行的抗拉强度测试结果显示:淀粉、乙烯-丙烯酸共聚物、光敏剂及线性低密度聚乙烯的含量对薄膜的力学性能有明显的影响.     

铁电薄膜和铁电器件的发展及应用

论述了铁电体的基本原理和发展过程以及铁电体在商业上的潜在价值 .在采用纳米技术制备铁电薄膜成为现实后 ,铁电记忆就成为当今最热门的研究课题 .     

电致变色性和智能窗的发展及应用

对电致变色现象及机理、电致变色器件的构成、电致变色使用的材料等方面的国内外研究现状及发展趋势作了介绍和论述.最后对电致变色器件的应用前景作了展望.     

热处理对掺杂WO3的ITO薄膜性能的影响

用磁控溅射镀膜方法,制备掺杂WO3的ITO(xWO3-ITO)薄膜,经过热处理后对掺杂薄膜的表面形貌、吸收和透射光谱、面电阻等性能进行了测试.结果表明:适当的热处理能够提高xWO3-ITO薄膜在可见光范围内的透过率和在波长为228 nm处的吸光度.同时,该薄膜热处理后的方块电阻明显降低,导电性能得到明显提高.     

脉冲刷镀层与直流刷镀层的对比分析

应用MSD—3O—S逆变电源及普通刷镀电源,研究了脉冲刷镀层的沉积速度、硬度、耐磨性、结合强度等方面的性能,并与直流刷镀层进行了比较,结果表明脉冲刷镀层性能优于直流刷镀层。     

ITO及WO3在电解液中的交流阻抗特性

采用表面过程法拉第阻纳表达式方法与等效电路方法,研究透明ITO平面电极及带WO3薄膜层的ITO平面电极处于1 mol LiClO4丙烯碳酸酯电解液中的电化学阻抗谱.分析显示WO3薄膜层有效地阻止了表面吸附参量对ITO电极反应的影响,使电极反应仅受电极电位的影响,并且随WO3薄膜在电解液中浸泡时间的增加,WO3薄膜的常相位角元件的特性最终回归为电容效应.     

Wiener过程的金属化膜脉冲电容器步降应力退化建模

由于强激光装置中金属化膜脉冲电容器高可靠长寿命的特点,导致退化试验的时间长效率低,传统的退化试验统计分析方法复杂,对先验信息依赖性大,针对这些问题提出了基于Wiener过程的金属化膜脉冲电容器步降应力加速退化建模和参数估计的方法。首先,用Wiener过程刻画电容器的退化过程,然后结合随机过程的特性采用MCMC方法进行参数估计,大大简化了统计分析过程。最后通过对电容器的仿真实验,将步降应力下的评估结果与恒定应力、步进应力的情况相对比,说明了步降应力对改善退化试验的试验效率的有效性。