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利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10d B时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜观测损伤后晶体管的微观特性发现:硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。 相似文献
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《防务技术》2014,10(3):316-320
An electromagnetic coupling mathematical model is established by finite element method and is verified by the contrastive experiments of copper matrix Ni–TiN cylindrical coating electrode, copper electrode and Cu50W electrode. The wear mechanism of Ni–TiN/Cu composite electrode in the case of high-frequency pulse current is studied, and the influence of the fluctuation frequency of discharge current on electrode wear in micro-EDM is found out. Compared with the electrode made from homogeneous material, the high frequency electromagnetic properties of Ni–TiN composite layer can be used effectively to inhibit the effect of high frequency pulse on the electrode and improve the distribution trend of current density. 相似文献
83.
84.
多站电子侦察系统中,脉冲信号到达两个接收站的时间差信息可以用于信号分选。针对高重频辐射源引起的虚假聚类和超低重频辐射源累积脉冲数少给时差分选带来的困难,提出一种基于递归扩展直方图的时差分选方法。该方法将时差数据转换成扩展直方图的结构,采用递归的方式序贯地对每个辐射源进行检测和分选,通过扩展运算,同步消除虚假聚类,逐步降低直方图噪声水平,提高了分选正确率。仿真结果表明了该方法的有效性。 相似文献
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86.
87.
为评估脉冲激光试验对研究SoC(片上系统芯片)单粒子效应的有效性,构建了一个65 nm SoC的脉冲激光试验系统,并进行了试验。提出并采用坐标定位法、有源区聚焦法、ΔZ补偿法等针对大规模倒装焊集成电路的试验方法。对SoC的片上存储器、寄存器文件、RapidIO、DICE触发器等部件进行了脉冲激光试验和分析。结果表明:片上存储器对脉冲激光最为敏感,部件的激光试验与相应的重离子试验现象吻合,利用脉冲激光试验可有效研究纳米工艺下大规模集成电路的单粒子效应。 相似文献
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分析了储能线和储能电容脉冲发生器中各种因素对脉冲前沿的影响,比较了二者的优劣,并设计了一种储能线脉冲形成电路。初步的试验表明,该装置能产生脉宽为3~4ns的脉冲。 相似文献
89.
90.
通过实验和数值模拟计算 ,研究了瞬时、强热流极端条件下铂薄膜表面覆盖和不覆盖细小金属颗粒时丙酮液体和金属颗粒温度场分布及其变化规律 .确定了温升速率、温度梯度和温度边界层厚度 ,发现了常规沸腾难以解释的现象 ,并指出覆盖金属颗粒后虽然沸腾极为激烈 ,但难以达到极高的温升速率 ,而不覆盖金属颗粒却容易产生爆发沸腾 相似文献