电爆炸切断开关的实验研究

电感储能系统中的关键技术是切断开关技术,本文论述了导体的电爆炸机制,以及作为切断开关爆炸导体参数选取的经验公式,并设计了一种爆炸导体切断开关的装置结构,在实验中取得了较好的结果。通过调节导体参数,可得到脉宽２８０ｎｓ,电压增益达到十几倍的高功率脉冲信号,其结果对我们通过用虚阴极二极管等器件作负载来产生高功率微波有重要的意义。     

中频同步发电机组励磁系统的改进

用ＰＷＭ调节技术,按自控原理,对发电机励磁系统进行了改进设计,并比较了几种励磁系统的优缺点,提出了完整的设计电路。其电路简单,工作可靠。     

观炮间隔修正的数学模型

建立了观炮间隔修正的数学模型,使用本模型可以消除目前舰炮指挥仪公式系中未考虑舰艇摇摆对观炮间隔修正产生的射击误差。     

高能电磁脉冲武器对计算机系统的毁伤及防护措施

探讨了国外军事强国在高能电磁脉冲武器毁伤计算机系统及计算机防护的研究领域的发展状况,介绍了近年来高能电磁脉冲武器毁伤计算机系统的作用机理、破坏作用,尤其是对C4I计算机系统的破坏,对计算机抗毁防护技术做了详尽的介绍.建议我国应该进入相关研究领域,并持续跟踪、研究各国先进技术,以引起我国对此项研究的重视,为加强抗毁伤技术提供信息.     

On lifetimes in random environments

For a component operating in random environment, whose hazard rate is assumed to be the realization of a suitable increasing stochastic process, conditions are found such that its lifetime is increasing in likelihood ratio (ILR). For the lifetimes of two components of the same kind some comparisons based on partial stochastic orders are presented. Some applications to the case of repairable components are finally provided. © 1998 John Wiley & Sons, Inc. Naval Research Logistics 45: 365–375, 1998     

一种小型的高压毫微秒脉冲发生器及其应用

本文讨论了一种小型的高压毫微秒脉冲装置。该装置可以产生幅值120kV,上升前沿陡度大于5kV/ns、脉宽100ns 的高压脉冲,并已被用作REB 加速器的触发源、高压EMP 模拟器的脉冲源和研究介质击穿特性的能源。     

超高斯随机振动环境的疲劳强化机理

针对可靠性强化试验的全轴随机振动环境的超高斯幅值分布特性开展其疲劳强化机理研究。首先通过理论分析表明RS机振动激励下试件应力仍保持超高斯分布,然后证明了同等量级下的超高斯分布比高斯分布随机应力具有更高的疲劳强化效能,从而揭示RS机全轴随机振动环境超高斯幅值分布特性的疲劳强化机理。     

利用过阻尼电路合成高压方波脉冲

在过阻尼RLC电路分时放电的基础上,提出新型高压方波脉冲产生方法。理论分析表明:过阻尼RLC电路产生的双指数电压波与脉冲形成线产生的方形电压波具有类似的上升沿和平顶。电路模拟表明:通过人工过零技术可以对双指数电压波进行截尾,从而形成完整的高压方波脉冲。建立了原理验证性样机,由两组RLC电路构成,每组电路包含一台脉冲电容器和一只三电极场畸变气体开关,两组电路共用一个上升沿调节电感。实验证明:样机可以在电阻负载上输出幅值为17 kV、平顶宽度为330 ns～5.8μs、上升沿为100～350 ns的单极性高压方波脉冲。该方法适应性强,对负载变化不敏感,同时具有良好的可调节性,方波上升沿、平顶宽度连续独立可调。     

利用RLC电路合成高压方波脉冲

基于过阻尼RLC电路分时放电,提出了一种新型高压方波脉冲产生方法。理论分析表明过阻尼RLC电路产生的双指数电压波与PFL产生的方形电压波具有类似的上升沿和平顶。电路模拟表明通过人工过零技术可以对双指数电压波进行截尾,从而形成完整的高压方波脉冲。建立了原理验证性样机,由两组RLC电路构成,每组电路包含一台400 nF脉冲电容器和一只三电极场畸变气体开关,两组电路共用一个上升沿调节电感。实验证明样机可以在250 Ω电阻负载上输出幅值17 kV,平顶宽度330 ns~5.8 μs,上升沿100~ 350 ns 的单极性高压方波脉冲。该方法适应性强,对负载变化不敏感,同时具有良好的可调节性,方波上升沿、平顶宽度连续独立可调。     

开口金属腔体对强电磁脉冲的耦合效应

为了评价腔体开口因素对核电磁脉冲(High-amplitude Electro Magnetic Pulse,HEMP)和高功率微波(High Power Microwave,HPM)破坏效能的影响,采用CST电磁计算软件建立强电磁脉冲的孔缝耦合模型,研究孔缝的位置、大小以及长宽比对HEMP和HPM耦合效应的影响。结果表明,孔缝的位置、大小及长宽比对HEMP的耦合效应影响较大,合理控制孔缝的位置、大小以及长宽比能在一定程度上削弱HEMP的破坏效能。对于HPM,相同条件下其耦合效应要明显强于HEMP。在孔缝达到一定尺寸后,其大小和长宽比对HPM的耦合效应影响较小,仅孔缝位置会带来较大的影响。当开口平面与HPM入射方向平行时,耦合效应最弱,但此时耦合进入腔体内的能量还是很容易达到多种电子元器件的电磁损伤阈值级别。