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41.
研制了一种以可编程控制器 (PLC) 作为控制单元的单轴控制台。这种单轴控制台有效控制了静电放电(ESD) 模拟器空气放电电极的运动状态, 为ESD测试实验提供了一种新的手段, 并与手持放电方式进行了实验比较。 相似文献
42.
提出了一种对匀速扫描雷达的单站被动定位方法 ,主要论述了该定位方法的数学模型 ,仿真分析结果表明该算法有较好的定位精度 相似文献
43.
将组合电路故障模拟的一些加速技术推广到时序电路故障模拟中,提出并实现了一个功能块级的基于测试码并行的同步时序电路故障模拟方法,对部分ISCAS89 Benchmark电路的模拟结果表明,该故障模拟方法有较好的性能. 相似文献
44.
随着通用航空及无人机产业的发展,低成本及小型化的导航解决方案将具有广泛的市场。提出了一种基于单频GPS接收机的自迭代定位算法,用于提高定位精度,增强定位收敛性。对该算法的基本原理进行了分析,并推导出该算法的数学模型,通过静态实验的方法对该算法的收敛性进行验证,并将该算法的位置信息与最小二乘法解出的位置信息进行对比,体现了自迭代定位算法的优势。 相似文献
45.
46.
Adam Janiak 《海军后勤学研究》1998,45(1):99-113
The paper deals with a problem of scheduling a set of jobs on a single machine. Before a job is released for processing, it must undergo some preprocessing treatment that consumes resources. It is assumed that the release date of a job is a linear decreasing continuous function of the amount of a locally and globally constrained, continuously divisible resource (e.g., energy, catalyzer, financial outlay, gas). The problem is to find a sequence of jobs and a resource allocation that will minimize the maximum job completion time. Such a problem appears, for example, in the ingot preheating and hot-rolling process in steel mills. It is shown that the problem is strongly NP-hard. Some polynomially solvable cases of the problem and approximate algorithms with both experimental and worst-case analysis are presented. © 1998 John Wiley & Sons, Inc. Naval Research Logistics 45: 99–113, 1998 相似文献
47.
48.
通过简化半导体器件灵敏单元 ,计算得到了宇宙高能质子在器件灵敏单元内产生的能量沉积。然后利用地面重离子实验单粒子翻转数据得到的Weibull函数 ,计算了CRRES卫星轨道、 33mm铝屏蔽壳体内几种器件的单粒子翻转率 ,并与已有结果进行了比较说明。 相似文献
49.
脉冲电容器作为爆磁压缩激励电流源的储能元件之一,通常要求单次可靠运行。正是由于单次运行,为脉冲电容器的过载工作提供了极大的可能。过载工作的电容器与额定电容器相比具有体积小、重量轻的优点,可实现爆磁压缩激励电流源的紧凑化。研究了不同温度下国产金属化聚丙烯膜脉冲电容器的过载特性,如过载运行的储能密度,放电电流及可靠度等。实验表明:在-45℃~60℃范围内过载运行这种电容器,其储能密度可达额定储能密度的1.8倍,同时在0.95的置信水平下,其过载运行的可靠度单侧置信下限为0.9,可以实现稳定可靠运行。 相似文献
50.
首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。 相似文献