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72.
Both topics of batch scheduling and of scheduling deteriorating jobs have been very popular among researchers in the last two decades. In this article, we study a model combining these two topics. We consider a classical batch scheduling model with unit‐jobs and batch‐independent setup times, and a model of step‐deterioration of processing times. The objective function is minimum flowtime. The optimal solution of the relaxed version (allowing non‐integer batch sizes) is shown to have a unique structure consisting of two consecutive decreasing arithmetic sequences of batch sizes. We also introduce a simple and efficient rounding procedure that guarantees integer batch sizes. The entire solution procedure requires an effort of O(n) (where nis the number of jobs.) © 2012 Wiley Periodicals, Inc. Naval Research Logistics, 2012 相似文献
73.
一种单平台的无源被动定位算法 总被引:1,自引:1,他引:0
提出了一种对匀速扫描雷达的单站被动定位方法 ,主要论述了该定位方法的数学模型 ,仿真分析结果表明该算法有较好的定位精度 相似文献
74.
采用贝叶斯方法 ,利用大量的历史数据和工程技术人员的丰富经验确定先验分布 ,制定出验收试验的一种新方案 .按照这一方案 ,在确保产品质量的前提下 ,可大大节省试验时间 ,从而得到十分可观的经济效益 . 相似文献
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抗干扰性能是微机系统可靠性的重要指标,抗干扰设计是单片机系统研制中不容忽视的重要内容。单片机系统的可靠性由多种因素决定,从干扰的来源和途径,分析干扰对单片机主要硬件CPU、SFR、RAM、ROM及软件的影响,探索抗干扰的原理和设计方法。提出从电源、输入通道、印制板电路加强硬件抗干扰;通过开机自检、掉电保护、睡眠抗干扰及"看门狗"等技术,采用指令冗余和软件陷阱等软件措施,及时发现干扰导致的错误,使系统尽快恢复正常或及时报警,最大限度降低干扰对系统的影响,有效提高单片机系统在恶劣工况下运行的可靠性。 相似文献
76.
首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。 相似文献
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针对固定单站无源定位中的DPFRC算法无法对目标辐射源速度进行直接解算的问题,将多普勒频率引入观测量之中,提出一种改进的固定单站无源定位模型,并通过卡尔曼滤波对定位结果进行平滑处理。将改进模型与原有模型及另外一种可对速度进行直接解算的DDFRC模型进行了仿真比较,对不同距离、不同采样间隔和不同观测精度下3种模型的性能进行了仿真分析。仿真结果表明,相比于另外两种定位模型,改进模型具有更为广泛的应用环境和更好的鲁棒性。 相似文献
78.
79.
研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示:GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。 相似文献
80.
基于运动辐射源的到达方向(DOA)和多普勒信息,在建立目标运动模型和测量方程的基础上,分别研究了基于DOA/多普勒频率以及DOA/多普勒频差的定位算法.计算机仿真结果表明,给出的定位算法是正确的,基于DOA/多普勒信息对运动目标的单站无源定位技术是可行的. 相似文献