单洞双层隧道围岩力学特性分析

单洞双层隧道作为一种新的隧道形式,不同于分离式隧道和连拱式隧道。利用ANSYS对单洞双层隧道和分离式隧道开挖后围岩的情况进行数值模拟,分析开挖后围岩的应力和位移变化情况、塑性区分布和安全系数,通过对比得出：在浅埋情况下两种隧道围岩应力和位移分布基本一致,地表沉降和分离式隧道相当;单洞双层隧道对围岩扰动深度较大,边墙是其薄弱部位,应力松弛明显,水平位移较大,塑性区水平方向分布较大。     

岩土崩塌冲击作用下埋地管道应力与变形分析

基于散体极限平衡条件,利用马斯顿提出的沟内埋管垂直土压力计算模型,对存在冲击荷载情况的埋地管道受力进行分析,同时根据弹性半空间理论对落石冲击荷载情况下管道轴向附加荷载分布情况进行了计算分析。在利用传统的应力设计进行分析校核的同时,应用竖向变形量设计理念,研究了落石垂直冲击管道正上方时管道变形情况,以此来判断管道失效与否,为地质崩塌灾害易发区埋地管道的铺设方式提供理论和实践依据。     

Hilbert空间中Lipschitz拟伪压缩映像公共不动点的杂交投影算法

给出了Hilbert空间中Lipschitz拟伪压缩映像族公共不动点的一个投影算法,并利用所给出的算法证明了一个强收敛定理,扩展了参考文献[1]的结果。     

末修迫弹修正效果影响因素分析

在对脉冲控制迫弹末修原理简单介绍的基础上,在六自由度弹道模型上进行了蒙特卡洛仿真打靶试验。分析在落点预测导引模式和XZ追踪导引模式下,脉冲启控时刻、脉冲个数和修正模式对修正效果的影响,并对两种导引模式修正原理和特点进行详细的对比分析,得到两种导引模式下确定脉冲参数的原则。     

B4C/Al复合板中应力波行为分析（Ⅰ）

依据7.62mm穿甲燃烧弹与B4C,Al板的物理和力学特性,提出弹、板的力学模型;在此基础上,给出弹板碰撞后B4C/Al复合板的弹性动力学方程,建立应力波的传播模型,讨论了应力波传播时复合板的力学行为,最后确定了复合板承受的初始冲击应力。理论分析表明：一维应变条件的B4C和Al板的弹性极限高于一维应力条件下的值;弹、板间的作用力服从指数衰减规律;B4C板的初始应力高于430MPa时,应力波的作用使Al板在卸载过程中发生反向屈服。     

基于一类弱连续T-模的模糊Hopfield神经网络研究

基于一般的弱连续T-模与取大（V）模糊算子的复合,建立了具有一般意义的动态模糊神经网络——模糊Hopfield神经网络,并系统分析了该动态系统的性能：在Hamming距离意义下证明了该网络是稳定的,而且其平衡点（吸引子）具有全局Lyapunov稳定性。最后,提供了一种有效的学习算法。     

装备作战需求论证过程质量评估方法?

过程质量评估是装备作战需求论证质量评估的一项重要内容。在介绍装备作战需求论证过程基础上,提出了基于关键控制点的论证过程质量评估方法。采用判断树法确定四个关键控制点,建立了基于关键控制点的指标体系,采用神经网络法建立过程质量评估模型。最后进行了评估示例分析,结果表明该方法是可行的。     

控制速度方向的弹道修正导引方法

由于制导炮弹由身管武器发射,其飞行控制能力和导引信息量有限,故基于预测落点位置偏差量来修正速度方向并在控制时间内连续分配导引指令的思想提出一种新的三维末制导方法。根据非线性弹道方程组的级数解预测弹丸落点位置,得到落点与目标的偏差,并提出两种通过此偏差解算当前速度方向修正量的方法。取剩余飞行时间为修正时间,通过将速度方向修正量分配到整个剩余导引段建立加速度修正公式,从而减小导引指令饱和的可能性。通过连续地预测落点和分配加速度指令来实时地导引飞行。仿真结果表明:该导引方法简单可行,精度高,对控制能力要求较低,且具备较好的制导效果和毁伤效果,可为该体制制导炮弹的应用提供参考依据。     

基于配置管理的软件维护性评估

对软件质量进行定量化管理是软件工程领域的趋势,也是软件质量保证的重要手段。针对软件维护性定量评估难、数据获取难的问题,分析了软件维护性受配置管理关键要素的影响,提出利用配置管理数据对软件维护性间接评估的方法。结合软件工程开发实际,建立了配置管理数据收集过程,利用维护时间作为参数,统计5类功能点维护时间对软件维护性进行度量,实现了软件维护性的定量评估,并利用实际项目对方法的可行性和有效性进行了验证。     

65纳米工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估

首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。