支持向量机的滚动轴承状态监测

提出了一种基于支持向量机的滚动轴承状态监测方法.该方法采用小波能量表征轴承信号的特征,采用支持向量机作为分类器构建支持向量机状态监测系统.仿真实验表明该方法具有很好的在线监测性能和分类性能,该方法对于滚动轴承的监测具有一定的应用价值,并可方便地推广到其他类似的工业应用领域.     

复杂导弹武器装备通用层次模块化诊断模型

根据复杂导弹武器装备系统的组成、结构、故障机理和故障诊断的特点,建立其通用的层次模块化故障诊断模型,研究了层次模块化故障诊断机理和诊断过程中所采用的推理搜索机制,建立的层次模块化故障诊断模型能够根据具体诊断问题的特点,选择不同的故障诊断方法,逐层逐块深入进行诊断,直到完成诊断任务。故障诊断模型具有很强的通用性、可行性和潜在的应用价值,基于此模型的故障诊断系统的建立将有助于复杂导弹武器装备的维修保障。     

基于彩色的概率跟踪及其快速实现

针对基于彩色的概率跟踪中每一时间步每一个像点都要计算彩色直方图导致计算代价大大增加这一瓶颈问题,提出了一种减少直方图搜索区域从而提高计算效率的方法。根据前一帧中跟踪器的输出,在当前帧中建立一个基准窗口,并将其分割成若干个相等的子窗口,分别计算出它们的彩色直方图。然后根据像点滤波中不同像点的搜索区域与基准窗口的相对关系,找出重叠部分,从而可以利用该部分已知的子窗口的直方图而无需重复计算,只需计算不同部分即可,实验结果表明,该方法使计算量减少了50%以上。     

一种单平台的无源被动定位算法

提出了一种对匀速扫描雷达的单站被动定位方法 ,主要论述了该定位方法的数学模型 ,仿真分析结果表明该算法有较好的定位精度     

单片机系统常用软硬件抗干扰措施

抗干扰性能是微机系统可靠性的重要指标,抗干扰设计是单片机系统研制中不容忽视的重要内容。单片机系统的可靠性由多种因素决定,从干扰的来源和途径,分析干扰对单片机主要硬件CPU、SFR、RAM、ROM及软件的影响,探索抗干扰的原理和设计方法。提出从电源、输入通道、印制板电路加强硬件抗干扰;通过开机自检、掉电保护、睡眠抗干扰及"看门狗"等技术,采用指令冗余和软件陷阱等软件措施,及时发现干扰导致的错误,使系统尽快恢复正常或及时报警,最大限度降低干扰对系统的影响,有效提高单片机系统在恶劣工况下运行的可靠性。     

香港建筑能耗现状特征分析

随着经济的发展,香港的建筑行业也迅速发展。建筑面积的持续增长,在改善人们居住条件的同时也导致了建筑能耗的大量攀升。为了实现香港经济的可持续发展,有必要对香港地区建筑能耗现状进行研究。介绍了香港建筑的发展,在此基础上详细介绍了香港地区建筑能耗的历史发展趋势,并对建筑能耗的类别进行了详细的分类及分析。通过分析可看出建筑能耗在香港地区能源消费中占有重要的地位,为了社会的可持续发展,建筑节能势在必行,因此本文也对香港地区建筑节能的现状和节能潜力进行了分析。     

相对论带电粒子与电磁波包之间的相互作用

研究了相对论带电粒子与电磁波包之间的相互作用,给出了带电粒子运动方程的严格解,得出了粒子的位置、速度和能量的显示表达式。本文结果对基础等离子体物理、自由电子激光、高功率微波和粒子加速器等领域具有一定的参考意义。     

PSpice模型用于电爆炸丝的数值模拟

根据细铜丝通过大电流时发生爆炸而导致电阻率的急剧变化的实验数据,建立了其PSpcie电路模型。然后将这个模型应用于一个含电爆炸丝断路开关的电感储能脉冲功率电路,以探讨电爆炸丝的参数选择对脉冲功率调制系统的影响。研究表明电爆炸丝长度主要控制电流切断的效果,而电爆炸丝的根数或截面积主要控制电爆炸丝切断的时刻,并且初始电压愈大,切断愈迅速,在负载上获得更高的电压。这些结论可以较好地解释实验结果。     

高能硝胺推进剂的压强指数分析

从高能硝胺推进剂配方组成入手 ,深入研究了各组分参数的变化对该推进剂燃烧性能的影响 ,认为 :高硝胺 ( HMX或 RDX)含量和高硝酸酯增塑剂含量是高能硝胺推进剂 ( NEPE)高压强指数的根本原因。同时指出该类推进剂的燃烧性能的调节将不再仅仅局限于硝胺的催化 ,而应针对硝胺和硝酸酯及 AP的特殊作用进行综合调节     

65纳米工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估

首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。