一种单平台的无源被动定位算法

提出了一种对匀速扫描雷达的单站被动定位方法 ,主要论述了该定位方法的数学模型 ,仿真分析结果表明该算法有较好的定位精度     

单片机系统常用软硬件抗干扰措施

抗干扰性能是微机系统可靠性的重要指标,抗干扰设计是单片机系统研制中不容忽视的重要内容。单片机系统的可靠性由多种因素决定,从干扰的来源和途径,分析干扰对单片机主要硬件CPU、SFR、RAM、ROM及软件的影响,探索抗干扰的原理和设计方法。提出从电源、输入通道、印制板电路加强硬件抗干扰;通过开机自检、掉电保护、睡眠抗干扰及"看门狗"等技术,采用指令冗余和软件陷阱等软件措施,及时发现干扰导致的错误,使系统尽快恢复正常或及时报警,最大限度降低干扰对系统的影响,有效提高单片机系统在恶劣工况下运行的可靠性。     

常系数投资消费模型中资产折算函数常用

在有交易费的常系数投资消费模型下,讨论了资产折算的一个重要的基本性质,即给出了资产折算函数是变分不等式的粘性上解这一基本结果。     

65纳米工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估

首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。     

一种改进固定单站无源定位模型性能分析

针对固定单站无源定位中的DPFRC算法无法对目标辐射源速度进行直接解算的问题,将多普勒频率引入观测量之中,提出一种改进的固定单站无源定位模型,并通过卡尔曼滤波对定位结果进行平滑处理。将改进模型与原有模型及另外一种可对速度进行直接解算的DDFRC模型进行了仿真比较,对不同距离、不同采样间隔和不同观测精度下3种模型的性能进行了仿真分析。仿真结果表明,相比于另外两种定位模型,改进模型具有更为广泛的应用环境和更好的鲁棒性。     

基于梯形直觉模糊数的动态多准则群决策方法

针对决策信息为梯形直觉模糊数的多准则决策问题,引入含参得分函数和相关系数提出了一种动态多准则群决策方法,首先利用参照方案相关系数总偏差最小的非线性规划模型求解客观准则权重,通过参数因子转化犹豫度集结得到各方案综合得分函数,最后根据参数动态变化进行MATLAB仿真分析并排序。该方法适用于准则权重已知和未知的情形,弥补了犹豫度缺失和基于距离测度决策方法的缺陷,并通过航空装备保障合同商的选择决策实例验证了有效性。     

基于DOA/多普勒信息的单站无源定位

基于运动辐射源的到达方向(DOA)和多普勒信息,在建立目标运动模型和测量方程的基础上,分别研究了基于DOA/多普勒频率以及DOA/多普勒频差的定位算法.计算机仿真结果表明,给出的定位算法是正确的,基于DOA/多普勒信息对运动目标的单站无源定位技术是可行的.     

面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应

研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示：GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。     

单级入轨运载器干质量影响因素分析

提出了单级入轨运载器干质量计算方法。对给定的飞行任务,提出了基准运载器,并计算了贮箱材料、热防护系统及设计余量对运载器干质量的影响。计算结果表明,先进的材料和设计能降低运载器的干质量,并使运载器干质量对设计余量的敏感性降低     

几何光学法用于飞机进气道 RCS 的计算

运用电磁场理论的几何光学法解决飞机进气道雷达截面(RCS)的计算。计算结果与实测值基本相符,使得复杂的飞机进气道雷达特性可以简化处理。此法既简单又严密。