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181.
规避机动是水面舰艇对鱼雷防御的基础和前提,通过对水面舰艇规避鱼雷过程的分析,建立了水面舰艇规避鱼雷的战术基础模型,并采用变分法进行解算,从所有可能的规避轨线中选取最优的规避轨线.水面舰艇规避鱼雷的战术基础模型,为水面舰艇防御鱼雷作战方案的仿真论证、防御鱼雷最优规避轨线的方案生成提供依据.对研究水面舰艇规避鱼雷战术具有一定的参考价值.  相似文献   
182.
介绍了一种基于奇异提取技术的时域积分方程中奇异积分的处理方法,在奇异提取过程中,电磁波传播的延迟效应对积分的贡献包含在内。数值实验表明该方法能够大幅提高自作用和近作用阻抗矩阵元素的计算精度。  相似文献   
183.
为了从理论上分析磁化等离子体对飞行器隐身的机理,采用等效输入阻抗方法计算金属平板前非均匀磁化等离子体层对垂直入射电磁波的功率反射系数,结果表明:电子数密度大小、入射波频率、等离子体碰撞频率和外磁场是功率反射系数的主要影响因素.电子数密度、等离子体碰撞频率取值必须合适,外加磁场才能明显降低等离子体对入射电磁波的功率反射系数.  相似文献   
184.
多层吸波和多层透波材料阻抗匹配问题研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
本文使用多目标目标函数对一种特殊结构的电磁波吸收材料的电磁参数进行了优化计算,给出了5~15GHz 频带内的几组吸收率大于20db 的设计参数以及这些参数对应的垂直极化波、平行极化波入射角0°、20°、45°、60°情况下的吸收曲线。计算结果表明:只要优选各层参数,即使某些“夹层”不具有吸收性能仍可得到极好的吸波特性;单纯的电吸收或单纯的磁吸收都难以获得高的吸波效能;良好的阻抗匹配并不一定要在阻抗“渐变过程”情况下实现;对于出射波侧是自由空间的透波材料,用不具有吸收性能的材料,良好的匹配只在各层ε_(?)≈μ_(?)情况下得到。  相似文献   
185.
舰空导弹武器系统在干扰条件下的使用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在未来海战中 ,为确保舰空导弹在干扰条件下有效地拦截反舰导弹 ,分析了舰空导弹武器系统可能遇到的干扰 ,并对其战斗使用进行了研究。  相似文献   
186.
盐度分层环境中水面舰船尾流电导率场的半经验分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用独立常数法对盐度分层环境中水面舰船尾流电导率场进行半经验分析 ,获得了舰船尾流横截面的扩展和衰减规律以及尾流横截面上的电导率信号的分布规律 ,可为鱼雷的电导率探头追踪水面舰船尾流的数学模型提供基础 .  相似文献   
187.
用线性兴波阻力理论计算穿浪双体船的兴波阻力   总被引:3,自引:0,他引:3  
以线性兴波阻力理论 (薄船理论 )Michell型兴波阻力计算公式为基础 ,结合穿浪双体船的船型特点 ,建立了一次和二次简化的Michell型兴波阻力计算公式 ,并以此简化公式计算了某穿浪双体船WPC×××的兴波阻力 .将计算结果与马丁法计算结果进行了比较 ,并探讨了兴波阻力规律及片体间距对WPC兴波阻力的影响规律 .  相似文献   
188.
通过热力学分析和计算,讨论等径球(椭球)与均匀分布不等径球(椭球)的体心正方堆积的烧结体积和表面能的变化,包括华东烧结模型中膨胀机制和收缩机制,对烧结体总表面能变化的作用和影响,发现随着烧结过程的进行,烧结收缩机制逐渐占主导地位。  相似文献   
189.
基于面元法的三维机翼数值设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用一种数值迭代方法设计出具有给定目标压力分布形式和环量及厚度分布的三维机翼.取一初始机翼,应用考虑尾涡衰减及卷曲的面元法计算三维机翼的流体动力性能,对机翼几何形状进行小的扰动并计算由此引起的压力变化,形成雅可比行列式,求解出几何修正因子以改变机翼几何形状,多次迭代后得到具有目标压力分布形式的机翼.再由给定的环量及厚度分布修改目标压力,重新设计机翼,最后得到符合设计要求的三维机翼.重点讨论了数值设计中尾涡模型、目标压力分布形式、几何控制点对设计结果的影响,及如何加快计算收敛.算例分析表明,设计方法收敛快速、有效可行,计及尾涡衰减及卷曲能够得到更准确的设计结果,目标压力分布形式和几何控制点的选取决定了设计机翼的光顺性.  相似文献   
190.
采用超音速轰击技术(Supersonic Fine Particles Bombarding,SFPB)对调质态合金钢38CrSi进行表面纳米化处理,在材料表面制备了纳米结构表层;利用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜等分析技术研究了表面纳米层的微观结构特征。结果表明:经SFPB处理后,材料表层发生了严重的塑性变形,表面形成了晶粒尺寸约为15nm的纳米结构层,微观应变约为0.19%;表面纳米层的厚度约为20μm(晶粒尺寸〈100nm),纳米晶粒的尺寸随着距表面距离的增加而增大;在距表面40μm的范围内,高密度的位错墙和位错缠结将晶粒分为了尺寸为200~400nm的胞块结构,分析表明表面纳米化主要是位错运动的结果。  相似文献   
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