大长径比固体火箭发动机点火瞬态过程数值分析

研究大长径比固体火箭发动机点火瞬态特性,采用守恒型N S方程描述了集点火器、燃烧室和喷管于一体的数学仿真模型,应用NND-3差分格式进行数值求解,计算结果表明,点火期间,发动机内除了压强急升之外,还存在振荡和拍击现象。     

溅板式层板喷注单元燃烧特性数值分析

为了获得喷注单元结构参数对喷注器燃烧特性的影响规律,利用数值分析方法对单喷嘴溅板式层板喷注单元气-气燃烧特性进行研究,考察燃烧室特征长度及出口层喷嘴宽度对气氧/甲烷流动及燃烧特性的影响。在求解气-气燃烧流场方面,采用带化学反应的湍流N-S方程进行描述,其中化学动力学反应模型采用简化的单步9组分模型。研究结果表明:燃烧室特征长度的增大有利于特征速度效率的增加;该条件下采用溅板式层板喷注单元所对应的燃烧室特征长度约为600 mm。对比分析发现,出口层喷嘴宽度取0.15 mm时,水组分摩尔分数与热力计算值差别最大;当其值取1.05 mm时,燃烧室头部区域截面温度上升最快,取0.45 mm时上升最慢。总的来说,出口层喷嘴宽度取0.75 mm时,燃烧长度最短,燃烧效率最大。     

一种循环队列的判定定理

首尾相接的循环队列是一种动态的数据结构。本文给出了在并发进程环境下,使用循环队列的判定定理,本定理已在银河机软件实现中得到应用。     

多体存贮器有效频带分析

本文以排队论为工具建立了紧耦合多处理机系统存贮器的排队模型。通过对存贮体忙期的分析,得出了存贮器有效频带的解析表达式,研究了在保证存贮器有效频带最大的情况下,处理机的访存请求率λ、存贮体的服务率μ和存贮体数m 三者之间的关系。     

变换器短路故障时整流发电机的暂态电流计算

考虑直流变换器侧短路故障时,整流发电机带直流变换器运行可以等效为整流发电机突加RLC负载,其暂态电流计算直接关系到直流故障诊断和保护.通过将RLC负载从直流侧等效至交流侧后,将暂态电流计算等效为同步发电机串联RLC后三相短路电流计算;在得到了暂态电流的表达式后,通过类比同步发电机三相短路电流的初值、终值和时间常数计算,...     

二维非线性正交各向异性材料的瞬态热传导反问题数值方法

针对正交各向异性材料的二维非线性热传导反问题,采用顺序函数法进行表面热流辨识问题的研究。在求解反问题时,采用有限体积法、牛顿-拉夫逊法并引入未来时间步的概念。在每个时间步内,将待辨识热流视为非线性方程组的未知量,通过一个迭代过程进行求解。算例的研究表明,热流辨识结果与真实热流相近,从而证明了本方法在辨识二维非线性热传导反问题时是准确、稳定、有效的。     

Priority queue with customer upgrades

This article is concerned with a general multi‐class multi‐server priority queueing system with customer priority upgrades. The queueing system has various applications in inventory control, call centers operations, and health care management. Through a novel design of Lyapunov functions, and using matrix‐analytic methods, sufficient conditions for the queueing system to be stable or instable are obtained. Bounds on the queue length process are obtained by a sample path method, with the help of an auxiliary queueing system. © 2012 Wiley Periodicals, Inc. Naval Research Logistics, 2012     

多目标通道地空导弹武器系统抗击效率模型

针对多目标通道地空导弹武器系统的战术技术使用特点,基于地空导弹射击原理和随机服务系统理论,给出了多目标通道地空导弹武器系统抗击(服务)过程的排队模型,建立了多目标通道地空导弹武器系统抗击效率运算的数学模型,并进行了实际的算例分析。     

超急速爆发沸腾研究的新实验方法

在总结分析前人实验方法的优缺点基础上 ,在国内首次建成了超急速爆发实验台 ,其特点如下 :加热和测温信号互不干扰 ,温度测量频响快、精度高 ,且避免了测量滞后 ,温度测量动态响应时间小于 1μs ;采用高压电火花放电技术 ,高速照相速度快 ;采用了汽泡轮廓清晰并可以研究整个过程以及光源强度要求低的侧照方式 .照相最高放大倍数可达 10 0倍 ,研究范围为 1～ 90 0 μs .     

22 nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域

基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。