串联谐振变换器IGBT开路故障检测方法

针对串联谐振变换器IGBT开路故障检测问题,根据故障前后断续谐振电流波形变化特征,提出了一种故障在线检测方法。首先,通过分析变换器的等效电路,得到了单个IGBT开路故障时的谐振电流表达式。从故障机理可知,当单个IGBT开路后,输出电流的平均值减半,同时谐振电流波形在一个开关周期内比正常工况时减少了一个半波。然后,根据故障时谐振电流波形特征,设计了相应的故障检测电路,并通过DSP控制器在线检测谐振电流整形后的方波跳变沿,有效地诊断出了IGBT开路故障,由此证明了所提方法的正确性。     

基于单元故障模式的水下恒流远供系统可靠性分析方法

以水下单元的短路/开路故障模式为基础,提出了一种分析缆系海底观测网络恒流远供系统可靠性的方法。根据系统供电和结构特性,将系统分成不同的供电链路和链路段。详细研究了处于不同位置的各种水下单元发生故障时,对链路和观测设备的供电状态的影响。归纳了导致系统和各链路无法正常导通、观测设备无法得到供电的状态情况,分析了不同故障状态发生的概率,进而得出了求解系统、供电链路与供电设备的供电可靠度的方法。通过算例分析,进一步梳理了3种供电可靠性的共性规律,说明在设计和建设恒流远供系统时,应综合须考量这3种供电可靠性。     

“爬”向玉麦

6月的西藏山南地区隆子县,阳光明媚,晴空万里,气候宜人,迎来了一年中最好的日子。6月9日下午,焦急等待6月9日下午,玉麦边防派出所所长小达瓦,站在隆子边防大队的院子里,用手遮着额头,朝着玉麦的方向望去。远处的山岭被云雾笼罩着,灰蒙蒙看不到头。玉麦乡位于山南地区隆子县东北部,距离隆子县城195公里,海拔3500米。全乡只有28口人,被称为"中国人口最少的行政乡"。2011年10月,玉     

适用于海底观测网络的恒流远供系统可靠性分析方法

以水下单元的短路/开路故障模式为基础,提出一种分析缆系海底观测网络恒流远供系统可靠性的方法。根据系统供电和结构特性,将系统分成不同的供电链路和链路段。详细研究处于不同位置的各种水下单元发生故障时,对链路和观测设备的供电状态的影响。归纳导致系统和各链路无法正常导通、观测设备无法得到供电的状态情况,分析不同故障状态发生的概率,进而得出求解系统、供电链路与供电设备的供电可靠度的方法。通过算例分析,进一步梳理了3种供电可靠性的共性规律,说明在设计和建设恒流远供系统时,应综合考量这3种供电可靠性。     

3D SRAM中TSV开路测试算法研究与实现

基于三维集成电路技术实现的三维静态随机存储器,其电路中使用了大量的过硅通孔。目前过硅通孔制造工艺尚未成熟,使得过硅通孔容易出现开路或短路故障,从而给三维静态随机存储器的测试带来新的挑战。现有的过硅通孔专用测试方式虽然能够探测出过硅通孔的故障,但需要特定的测试电路来实现,这就增加了额外的面积开销,同时加大了电路设计的复杂度。因此,提出一种使用测试算法来探测过硅通孔开路故障的方法。在不增加额外面积开销的情况下,通过内建自测试电路解决三维静态随机存储器中过硅通孔的开路故障检测问题。结果显示,该过硅通孔测试算法功能正确,能够准确探测到过硅通孔的开路故障,并快速定位过硅通孔的开路位置。     

基于CNN的三相逆变器开路故障诊断及其样本条件分析

为了合理选择样本条件以实现高效的智能化诊断,以及克服智能化方法中传统反向传播(back propagation, BP)网络权值较多、局部信息提取能力不足的问题,对基于卷积神经网络(convolutional neural network, CNN)的开路故障诊断方法进行研究,并以典型的三相两电平逆变器为具体对象,着重分析样本时长、样本数量变化时,CNN方法相较于BP网络方法在网络权值数量、训练稳定性、诊断准确率上的量化优势。结果表明,基于CNN的方法可在权值数量远少于BP网络方法的情况下构建深度更深的诊断模型,并在更短样本时长、更少训练样本数量下实现高效、准确的开路故障诊断。     

基于开路分支线加载双模谐振器的微带带通滤波器设计

文章设计了一款基于开路分支线加载双模谐振器的微带带通滤波器。通过对开路分支线加载双模谐振器的奇偶模特性及固有传输零点分析,利用调节分支线的长度可以灵活地调整谐振器的固有传输零点位置这一特性,采用了两个具有不同分支线长度的谐振器实现了一个高选择性滤波器的设计与测试,测试结果与仿真结果基本一致。所设计的滤波器中心频率为2.45 GHz,通带宽度为150 MHz,通带内插损小于1.5 dB,具有两个位于2.27 GHz和2.57 GHz的传输零点,在2.0 GHz与2.95 GHz处的衰减分别达到41 dB和29.8 dB。此外,该滤波器尺寸小巧,设计加工方便,具有一定的实用价值。     

基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试算法研究与实现

基于3D-IC技术实现的3D SRAM,其电路中使用了大量的TSV。目前TSV制造工艺尚未成熟,使得TSV容易出现开路或短路故障,从而给3D SRAM的测试带来新的挑战。现有的2D BIST测试方式能够探测到3D SRAM中存在的故障,但并不能判定是TSV故障还是存储器本身故障;TSV专用测试电路虽然能够探测出TSV的故障,但需要特定的测试电路来实现,这就增加了额外的面积开销,同时加大了电路设计复杂度。基于此,本文提出了一种使用测试算法来探测TSV开路故障的方法,在不使用TSV专用测试电路且不增加额外面积开销的情况下通过BIST电路解决3D SRAM中TSV的开路故障检测问题。结果显示该TSV测试算法功能正确,能够准确探测到TSV的开路故障,并快速定位TSV的开路位置。