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对高频小功率硅双极结型晶体管2SC3356进行静电放电试验,并利用加速寿命试验原理对两组器件进行加速寿命试验。采用Arrhenius模型对试验结果进行计算分析,发现低于损伤阈值的ESD注入可以使器件的寿命缩短,得出ESD可以在高频小功率硅双极结型晶体管内部造成潜在性失效,使得器件寿命缩短。 相似文献
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ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述 总被引:1,自引:0,他引:1
静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视。国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展。研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题。因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义。 相似文献
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