从教育问题背后看待“人性”的还原

教育现象问题产生于“人性”的缺失,而“人性”缺失又造就了教育问题,“人性”问题则被孤立地悬置起来.传统理论对于“人性”问题分析是建立在德性、经验基础之上,而现象学则从纯粹直观和被给予的明见性角度入手分析教育现象背后问题,进行现象学意义上的反思.生活体检不仅是一种教育现象学的研究方法,更是一种对“人性”理解的可靠还原和用不同视角来描述“人性”的理论,建构一种教育学意义上的生命自觉.     

一种新型的印刷套准控制标志

印刷质量的两个基本控制要素是套准精度和色彩还原。在彩色印刷过程中,确保精细套准是获得高质量色彩复制的前提条件。只有图像套准精度达到一定标准范围,后续进行的色彩控制才具有意义。本文将介绍一种新型的套准控制标志。     

高山仰止 景行行止--电视剧《毛岸英》观后

在“纪念抗关援朝60周年”之际,央视一套在黄金强档推出献礼的电视剧《毛岸英》。这部由毛岸英的遗孀刘思齐口述回忆改编而成,以还原历史真实为看点的人物传记,从毛岸英出生三湘讲起,通过辗转粤鄂、流落上海、留学苏联、参加卫国战争、陕北种地、下乡土改、相识思齐、进京扫雷、工厂锻炼、回乡省亲、赴朝抗美、光荣牺牲等带有典型意义的典型事件描写,全景式多方位宽视野地展示了毛岸英的人生历程。     

《秦腔》—乡土世界的还原与抽象

鉴于读者和评论界对《秦腔》不同的解读和评价,本文以详实的文本分析为依据,系统论述了《秦腔》针对转型期的乡土世界所进行的还原和抽象的具体内涵。通过剖析被作家称之为＂密实的流年式＂叙写模式的具体特征和解读作品所塑造的一系列艺术形象的特殊意义,高度评价了作家对乡土生活深刻的认知以及在小说叙事方法上所进行的革命性探索。另外,本文所涉及关于贾平凹创作实践的论述,对于广大文艺工作者重新审视艺术创作与社会生活之间的关系具有较强的指导作用。     

信息流中的隐形信息提取和还原技术研究

提出基于变化域的信息隐藏检测算法和基于彩色静止数字图像的信息隐藏提取算法,将小波变换的放大信息与显示隐藏信息及其相反过程的功效挖掘出来,基于信息隐藏对载体特性影响的模型,建立通用的隐藏信息提取的数学模型和面向"信息隐藏对载体特性影响"集合的正变换函数和逆变换函数,对信息进行标识、分析、提取和还原,使之能破除还原隐藏信息,达到较好的信息识别与分析效果,从而实现快速提取隐藏数据电子证据.     

TNT生物代谢的可能途径

因具有毒性和三致作用,污染环境介质中TNT去除倍受关注。为了能更有效地去除TNT,在总结大量文献的基础上,主要从TNT反应性质方面探讨其生物代谢途径。TNT的结构决定了TNT难于生物氧化、易于生物还原。TNT还原以硝基基团的序批式还原为主,一些中间代谢产物还会相互作用生成聚合物,产物TAT需在严格厌氧条件下生成;TNT的芳烃环也可实现加氢脱硝还原,以利于下一步反应的进行;此外,TNT可同时发生硝基还原和芳烃环还原,两条途径的中间产物还会相互作用生成一些聚合物。TNT的氧化以间接氧化为主,直接氧化很少。由于TNT本身结构的复杂性、反应条件或介质的不同、中间产物的多样性,使得TNT代谢途径还具有很大的不确定性,故仍需进行深入研究。     

利用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料机理研究

以二乙烯基苯和聚硅氧烷为原料经先驱体转化法制备了Si-O-C材料,利用镁金属在惰性气氛保护下高温还原制备了多孔的Si/Si-O-C负极材料。Si/Si-O-C负极材料的首次放电与充电容量分别为547.2和450.7mAh?g-1,第二次放电与充电容量分别为487.4和422.9mAh?g-1,库伦效率分别为82.3%、86.8%,材料具有较好的循环性能。利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDX)、元素分析和场发射扫描电镜(FE-SEM)分析了多孔Si/Si-O-C负极材料的组成、结构、形貌,从而研究利用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料的机理。结果表明,镁金属在还原过程中生成MgO和Mg2SiO4等产物,经HCl洗涤后可形成多孔的Si/Si-O-C负极材料。Si/Si-O-C材料中的单质硅分布于多孔的Si-O-C相中,一定程度上可缓解Si在循环过程中产生的体积效应。利用镁金属还原Si-O-C材料制备多孔Si/Si-O-C材料是一种可行的制备方法。     

应用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料机理研究

以二乙烯基苯和聚硅氧烷为原料经先驱体转化法制备Si-O-C材料,利用镁金属在惰性气氛保护下高温还原制备多孔的Si/Si-O-C负极材料。利用X射线衍射、能谱分析、元素分析和场发射扫描电镜分析多孔Si/Si-O-C负极材料的组成、结构、形貌,从而研究利用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料的机理。结果表明,镁金属在还原过程中生成MgO和Mg_2SiO_4等产物,经HCl洗涤后可形成多孔的Si/Si-O-C负极材料。Si/Si-O-C材料中的单质硅分布于多孔的Si-O-C相中,一定程度上可缓解Si在循环过程中产生的体积效应。利用镁金属还原Si-O-C材料制备多孔Si/Si-O-C材料是一种可行的制备方法。