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使用蒙特卡罗直接模拟法模拟了300keV氘束流T（d,n）4He中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律。分析了不同介质厚度的铁对中子的反射性质和吸收性质,这些解释和分析对快中子球壳屏蔽参数的选取具有重要价值。 相似文献
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