利用 Nernst 效应的高 Tc 超导红外探测器分析

高T_c超导膜中Nernst效应的存在为研制辐射探测器开辟了新的途径。本文分析了以Nernst效应为基础的高T_c超导红外探测器的工作原理及有关的噪声源。     

拉压异性材料具有圆孔的无限大薄板的极限分析

利用莫尔屈服准则,对拉压异性材料具有圆孔的无限大薄板进行了极限分析。计算结果表明,材料的拉压异性对结构的极限承载能力和弹塑性状态都有明显的影响。考虑了材料拉压异性的影响,分析结果更具一般性。     

微槽平板热管传热性能的实验研究

系统地研究小充液率条件下重力对微槽平板热管传热性能的影响,分析了工作温度、冷却方式等影响因素.发现重力对热管径向液膜的分布影响比较小,而对轴向的影响比较明显,从而使得倾角较大地影响了热管的传热能力.进一步证明了深槽平板热管具有良好的传热性能.     

氧化钨薄膜电致变色机理的探讨

研究磁控溅射生成的氧化钨薄膜处于电解液系列中的循环伏安特性,充电电流及光学特性.采用配体场理论来解释氧化钨薄膜在电场作用下,锂离子注入引起薄膜变色的现象,认为注入的锂离子破坏了薄膜界面层内氧化钨分子的八面体结构的对称性,在内部静电场和外部电场的共同作用下,钨离子d轨道的五重简并能级分裂,从而使得薄膜对可见光产生d-d吸收,导致氧化钨薄膜变色.     

边界元法在薄壁杆扭转问题中的应用

本文运用边界元法,分析研究了角形和箱形这类截面薄壁杆在扭转时的剪应力分布规律及应力集中问题.     

磁控溅射制备SmCo薄膜的工艺及磁性研究

用直流磁控溅射方法制备了SmCo薄膜,通过正交设计实验考察了工艺因素对薄膜沉积速率的影响规律。研究结果表明,影响薄膜沉积速率的主要因素是溅射功率,其次为靶基距,在0.5～2.0Pa的压强范围内,Ar气压强的大小对溅射速率的影响很小。X-射线衍射结果表明:制备态的SmCo薄膜为非晶结构,500℃真空热处理后,薄膜中出现少量的微晶SmCo5化合物。磁性能测试表明:制备态SmCo薄膜的矫顽力随薄膜厚度的增加而显著下降;真空热处理过程中,薄膜结构缺陷及成分起伏减少,薄膜的矫顽力和饱和磁场强度显著下降,初始磁导率和饱和磁化强度显著增加。     

薄壳变速箱壳体动态响应仿真分析与试验验证

在ADAMS（Automatic Dynamic Analysis of Mechanical Systems）中搭建薄壳箱体的刚柔耦合虚拟仿真模型,进行动态响应仿真分析。在相同试验条件下,搭建薄壳箱体动态响应试验台架,并进行动态振动试验。利用Q-400非接触式测试系统测量台架试验结果。对比仿真分析和试验测量结果,验证了仿真分析模型的准确性和计算结果的可靠性。     

带有氧化钨涂层的ITO平面电极在LB系列电解液中的阻抗分析

电致变色实验显示1 mol/L六氟磷酸锂与碳酸乙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯和碳酸甲乙酯所混合形成的电解液(LB)系列是一类非常节能的电致变色电解液,它们能用很小的充电电流(20μA/cm2)使得氧化钨薄膜获得更长久、更好的变色性.研究氧化钨薄膜在LB系列电解液中的交流阻抗特性,有助于更好地理解氧化钨薄膜的变色性能.文中研究了带有氧化钨薄膜层的ITO平面电极处于LB系列电解液中的阻抗谱,分别得出了氧化钨薄膜和ITO电极的等效电路;测算出氧化薄膜的常相位角元件、薄膜电阻、韦伯电阻以及与ITO电极有关的电双层电容和电极电荷转移电阻.证实了LB315是性能优良的电解液.     

非局部薄板动力学特性分析的广义有限积分变换方法

基于应力梯度非局部薄板理论模型,推导了非局部薄板动力学特性求解的广义有限积分变换方法.通过选取适应边界条件的积分核函数并构建广义积分变换对,应用积分变换将非局部薄板的高阶偏微分方程变换成线性方程组,直接求解得到固有频率.将广义有限积分变换方法的计算结果和有限元法及已有文献的结果进行对比,验证了本文方法的正确性.在此基础...     

PELE正侵穿金属薄靶轴向剩余速度近似计算与分析

运用冲击波理论,对横向效应增强型弹丸(Penetration with Enhanced Lateral Efficiency,PELE)侵穿金属靶板的机理进行了分析,将PELE侵彻过程中能量损失分为外壳和内芯撞击靶板区域环形塞块获得的能量,冲击波影响范围内外壳和内芯增加的内能,外壳前端外沿和内沿对靶板冲塞剪切耗能等,给出了确定这些能量的计算方法;并依据能量守恒原理,给出了PELE正撞金属薄靶板靶后剩余速度的近似计算公式。公式计算结果与多种条件下实验结果均吻合较好。分析计算所得各能量损失结果表明,弹体内芯材料的变化对弹体侵彻能力的影响较小;侵彻中靶板塞块获得的能量在弹体侵彻动能损失中比重最大;外壳前端内沿对靶板的剪切能耗对弹体动能损失的影响可以忽略。