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碳化硅纤维的表面分析
引用本文:唐胜,童乙青. 碳化硅纤维的表面分析[J]. 国防科技大学学报, 1986, 0(3): 77-85
作者姓名:唐胜  童乙青
摘    要:应有X—射线光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等电子能谱和热重分析(TG)、X—射线衍射(XRD)等物理方法,考察了由聚碳硅烷法制备的连续SiC纤维的表面性质,比较了不同的预处理条件对纤维表面组成、结构和性质的影响。结果表明,SiC纤维表面涂层可经500℃热处理或丙酮浸渍脱除;其体相结构为超细的β—SiC微晶结构,其表面存在硅氧化合物层,可能为α—SiO_2结构。在空气中500℃焙烧时,随着焙烧时间增长,表面氧化硅层增厚,同时表面游离碳含量减小。SiC纤维表面层硅氧化合物对酸较稳定,但易溶于热的浓碱。

收稿时间:1986-01-14

Surface Analysis of Silicon Carbide Fibre
Tang Sheng and Tong Yiqing. Surface Analysis of Silicon Carbide Fibre[J]. Journal of National University of Defense Technology, 1986, 0(3): 77-85
Authors:Tang Sheng and Tong Yiqing
Abstract:
Keywords:
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