|
|||||
|
|
| 下一代光刻技术关键设备研制成功 | |
| 引用本文： | 阿笛.下一代光刻技术关键设备研制成功[J].中国军转民,2001(12). |
| 作者姓名： | 阿笛 |
| 摘 要： | 美国EUV技术公司的研究人员与劳伦斯·利弗莫尔国家实验室的研究人员合作开发出一种能测定极远紫外(EUV)光刻用掩膜毛坯上多层涂层的反射率和均匀性的装置,它可在沉积室或车间现场进行测定,而不必将毛坯从洁净环境中移出来。这种掩膜毛坯是用200毫米硅片在真空涂覆室内用离子束溅射方法涂覆了多层硅化钼(MoSi)布 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |